描述：MOSFET RECOMMENDED ALT SI34
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产品参数
属性参数值
封装/外壳SOT-23-6细型，TSOT-23-6
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）13nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）1.1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装6-TSOP
产品概述：SI3456BDV-T1-GE3
SI3456BDV-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 SOT-23-6 细型封装，适合表面贴装（SMT）应用。作为威世（VISHAY）品牌的一部分，该产品在电源管理、开关控制和各种电子设备中具有广泛的应用潜力。其卓越的电气特性使其适合高效能和高温环境的操作。
主要规格
封装与形式：
- SI3456BDV-T1-GE3 采用 SOT-23-6 细型封装，便于在紧凑的电路板中高效布线。该封装设计适用于表面贴装技术，能够降低组件安装空间，提高整体设计的密度。
电气特性：
- 漏源极电压 (Vdss)：本MOSFET的最大漏源极电压为 30V，适合于众多中低压应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在环境温度 25°C 时，其连续漏极电流为4.5A，意味着其能处理相对较高的负载而不会超过热要求。
- 导通电阻 (Rds(on))：在降压操作时，在 10V 驱动下，最大导通电阻仅为 35 毫欧，表明该器件在开启状态下表现良好，减少了能量损失，有助于提升整体能效。
栅极驱动：
- 该 MOSFET 支持的最大栅极驱动电压范围为 ±20V，这为开关信号提供了灵活性。特别是在驱动电路变化的情况下，这一范围保证了开关的可靠性。
- Vgs(th)（阈值电压）最大值为 3V @ 250µA，这表示该器件在低电压信号下仍能够有效工作，增加了其在低功耗设备中的应用可能。
热性能：
- SI3456BDV-T1-GE3 设计为在-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围内操作，确保在极端环境下的可靠性和稳定性。其功率耗散能力为 1.1W（在典型应用条件下），使其在发热管理方面尤为突出。
应用领域
由于其优异的电气性能和广泛的温度适应性，SI3456BDV-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
- 开关电源：用于转换电压和电流，提高能效，降低待机功耗。
- 电动机驱动：适用于各种电动机械的控制和驾驶。
- 汽车电子：适合于汽车电源管理、LED 驱动及其他汽车应用中。
- 工业控制：包括PLC（可编程逻辑控制器）和各种自动化设备的控制。
竞争优势
SI3456BDV-T1-GE3 的导通电阻非常低，这意味着它在开关时的能耗大幅降低。相对于市场上同类产品，其更优的热性能和耐压能力也使其成为许多高功率应用的首选。此外，威世的品牌信赖度和高品质保障为用户带来了额外的安心。
结论
总的来说，SI3456BDV-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和适应各种环境的能力，为设计工程师提供了理想的解决方案。其广泛的应用场景使其在当今多样化的电子设备中扮演着重要角色，是追求高性能和高效率设计项目的理想元器件。