描述：场效应管(MOSFET) 1.25W；2.1W 20V 6A 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)31.8mΩ@4.5V,6A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)865pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET 产品概述
1. 简介
SI2312CDS-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。它主要用于低电压和高电流的应用场合，广泛应用于开关电路、负载驱动、DC-DC转换器以及其他线性和开关电子设备中。凭借其优越的电气性能和小型化的封装，SI2312CDS-T1-GE3能够有效提升电路的效率和稳定性。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时可达到6A（Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：31.8mΩ @ 5A, 4.5V
- 最大功率耗散：在环境温度25°C时为2.1W（Tc），1.25W（Ta）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 驱动电压范围：1.8V至4.5V
- 输入电容（Ciss）：最大865pF @ 10V
3. 物理布局与封装
SI2312CDS-T1-GE3采用SOT-23-3（TO-236）封装形式，提供优势在于小型化设计，非常适合于空间受限的电子设备。此外，该封装还具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作状态。
4. 电气特征
- 导通电阻：较低的导通电阻（31.8mΩ）使得SI2312CDS-T1-GE3可在较高电流（如5A）下实现有效的电力传输，显著降低了功耗和热量产生。
- 栅极变压器：阈值电压(Vgs(th))为1V，表明该器件能够在较低的驱动电压下开启，非常适合于低电压应用。
- 栅极电荷（Qg）：最大18nC @ 5V，确保快速的开关速度，提升了电路的整体效率。
5. 应用领域
SI2312CDS-T1-GE3广泛应用于如下领域：
- 电源管理：适用于DC-DC转换器和电源开关电路，能够高效率地调节电源输出。
- 负载驱动：用于驱动电机和继电器，简化了驱动电路设计，提高了系统集成度。
- 消费电子：在手机、平板电脑及其他便携式电子设备中，作为负载开关或功率调节器件。
- 汽车电子：在汽车内部的各类控制模块中，用于提高能效和可靠性。
6. 总结
SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET是VISHAY公司推出的一款性能卓越的N沟道场效应管，其小型化封装和多种优异的电气参数使得其在多种应用场合中展现出良好的性能和灵活性。它的广泛适用性以及高效率使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。对于任何寻求可靠和高效电源控制解决方案的设计工程师，SI2312CDS-T1-GE3都是一个值得关注的选择。