产品概述:SI1926DL-T1-E3
1. 产品简介
SI1926DL-T1-E3 是一款由VISHAY(威世)生产的高性能双N沟道MOSFET,采用紧凑型SC-70-6 (SOT-363)封装,专为低功耗、高效率的电源管理和开关应用设计。该产品能够在宽广的工作温度范围内稳定运行,适合各种高效能电子设备,如计算机、嵌入式系统和智能手机等。
2. 关键参数
- 封装类型:SC-70-6(SOT-363),表面贴装(SMT)设计,可以方便地集成到现代PCB中,节省空间并提升设计灵活性。
- FET类型:双N沟道,具备两路独立的开关功能,使得在需要多导通路径的应用中,能够有效减少器件数量,降低系统复杂性。
- 漏源极电压(Vdss):最大60V,适合高压应用,满足了大多数消费电子设备中的电池管理、马达驱动等场合的需要。
- 连续漏极电流 (Id):370mA @ 25°C,能够在额定条件下为负载提供稳定的电流。
- 导通电阻 (Rds(on)):最大1.4Ω在10V时的340mA,低导通电阻意味着更低的功率损耗,提高了系统效率。
- 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大2.5V @ 250µA,满足1.8V或3.3V逻辑电平的栅极驱动要求,能够快速响应开关需求。
- 输入电容 (Ciss):最大18.5pF @ 30V,较小的输入电容确保了快速开关速度,适合高频应用。
- 栅极电荷 (Qg):最大1.4nC @ 10V,低栅极电荷意味着更低的驱动功耗,有助于提升整体电路的效率。
3. 应用领域
SI1926DL-T1-E3的特点使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
- 电源管理:在各种电源电路中,作为开关管使用,以有效控制电流和电压。
- 马达驱动:能够高效控制直流电机的启停和调速,提升设备的操控性和动力输出。
- 可编程逻辑控制:在嵌入式设备中作为逻辑开关,执行各种控制任务。
- LED驱动电路:改善LED照明系统的电流效率,为各种照明设备提供卓越的性能。
4. 环境和可靠性
该MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,极端的耐温性能使其在恶劣环境中仍能稳定工作。同时,器件的最大功率限值为510mW,能够有效应对长时间的高负荷工作,为产品的长期稳定性提供保障。
5. 总结
SI1926DL-T1-E3作为一款高质量的N沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性、紧凑的封装和广泛的应用范围,特别适合现代电子设备中的各种电源管理和开关应用。无论是在小型化设计还是高效能运行中,均能为电子工程师提供可靠的解决方案,满足不断增长的市场需求。通过选用此器件,可以有效提升产品性能、降低系统能耗,优化终端用户体验。