SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3 产品概述

概述

SI1013R-T1-GE3 是由威世（VISHAY）制造的一款高性能 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于广泛的电子应用。该产品专为要求小型化和高能效设计的电路而优化，能够在较低的驱动电压下工作，同时确保高效的电流传导能力。其主要规格显示出其在电源管理、信号开关和低功耗应用中的出色表现。

主要参数

• 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET支持最大20V的漏源电压，适合大多数低压电源和信号接口应用。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，其连续漏极电流可达350mA，能够满足大部分应用对电流处理能力的需求。
• 栅源极阈值电压: 最小栅源阈值电压为450mV @ 250µA，表明其在较低的驱动电压下能够开启，从而提高能效。
• 漏源导通电阻（Rds(on）: 在350mA和4.5V条件下，导通电阻为1.2Ω，极低的导通电阻可减少功耗，并提高整体效率。
• 功率耗散: 该器件在25°C的最大功率耗散为150mW，适合高效率要求的应用。
• 工作温度范围: 工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，可满足苛刻环境下的应用。
• 封装类型: 该元件采用SC-75A封装，表面贴装设计使其适用于高速自动化生产线，同时在空间受限的设计中具有良好的适应性。

应用场景

SI1013R-T1-GE3的设计使其在多个应用场景中表现优异，包括但不限于：

1. 电源管理： 由于其低导通电阻和高电流处理能力，该MOSFET适用于电源管理电路，如DC-DC转换器、线性稳压器等。
2. 信号开关： 该器件可以用作快速、低功耗的信号开关，适合在音频或视频设备中的开关应用。
3. 电动机控制： 在电动机驱动和控制系统中，使用P沟道MOSFET可有效切换电源，从而控制电机的转速和方向。
4. 汽车电子： 由于其宽广的工作温度范围，SI1013R-T1-GE3特别适合汽车电子应用，例如电池管理系统和车载电子设备。
5. LED驱动器： 可实现高效LED照明控制及调光，改善电源效率和延长LED寿命。

性能特点

• 高效率： 在电流通过时，较低的导通电阻导致更少的热量产生，确保更高的整体系统效率。
• 低阈值电压： 低栅源阈值电压使得该MOSFET非常适合低电压驱动的应用，提升设计灵活性。
• 小型化设计： SC-75A封装带来的小型化，使其广泛应用于空间受限的设备中，适应现代微型电子产品的设计需求。
• 耐环境能力： 其涵盖的广泛工作温度范围表明，该元件能够在极端条件下良好工作，适应性强，能在多种环境中表现稳定。

结论

SI1013R-T1-GE3是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，凭借其优秀的电气性能和小型化设计，适用于多种电子应用。威世的品质保证和广泛的行业应用背景，使这一元件成为设计工程师理想选择，适合高效率能量转换和控制系统，确保电子设备在性能和能效方面达到最佳平衡。