产品名称: RDR005N25TL
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: SC-96 / TSMT3
FET类型: N沟道MOSFET
最大漏源极电压 (Vdss): 250V
最大连续漏极电流 (Id): 500mA(在25°C环境下)
最大栅源电压 (Vgss): ±20V
功率耗散 (Pd): 540mW(在25°C环境下)
工作温度范围: -55°C至150°C
导通电阻 (Rds(on)): 8.8Ω @ 10V 和 250mA时
开启阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg): 最大值为3.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss): 最大值为70pF @ 25V
RDR005N25TL是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需要精确控制和高效率的电源管理应用而设计。该器件采用SC-96封装且具有良好的散热性能,使其在高电压和电流条件下可靠运行。其750V的额定电压使其特别适用于家电、消费电子、以及工业设备等广泛的应用场景。
RDR005N25TL的高电压和电流处理能力,使其在多个领域均表现出色:
在使用RDR005N25TL时,设计者需注意以下要点:
RDR005N25TL是一款集成度高、性能卓越的N沟道MOSFET,非常适合各种电源管理和开关控制的应用场景。ROHM作为这一领域的知名制造商,致力于提供高品质、高性能的电子元器件。本产品设计旨在满足现代电子产品在高效能和高稳定性方面的需求,是智能设备、工业设备和消费电子产品中的理想选择。通过合理的设计使用RDR005N25TL,能够进一步提升电源系统的效率和可靠性。