型号:

RDR005N25TL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:TSMT3
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
RDR005N25TL 产品实物图片
RDR005N25TL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 540mW 250V 500mA 1个N沟道 SC-96
库存数量
库存:
50006
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.884
200+
0.68
1500+
0.591
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.8Ω@10V,0.25A
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.5nC@125V
输入电容(Ciss@Vds)70pF
反向传输电容(Crss@Vds)3pF
工作温度-55℃~+150℃

RDR005N25TL 产品概述

产品名称: RDR005N25TL
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: SC-96 / TSMT3
FET类型: N沟道MOSFET
最大漏源极电压 (Vdss): 250V
最大连续漏极电流 (Id): 500mA(在25°C环境下)
最大栅源电压 (Vgss): ±20V
功率耗散 (Pd): 540mW(在25°C环境下)
工作温度范围: -55°C至150°C
导通电阻 (Rds(on)): 8.8Ω @ 10V 和 250mA时
开启阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg): 最大值为3.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss): 最大值为70pF @ 25V

1. 产品简介

RDR005N25TL是一款高性能的N沟道MOSFET,专为需要精确控制和高效率的电源管理应用而设计。该器件采用SC-96封装且具有良好的散热性能,使其在高电压和电流条件下可靠运行。其750V的额定电压使其特别适用于家电、消费电子、以及工业设备等广泛的应用场景。

2. 性能特点

  • 高电压和电流处理能力: 最大漏源极电压250V,以及500mA的连续漏极电流可确保在高负载情况下的稳定性。
  • 低导通电阻: 导通电阻最大8.8Ω,可以有效降低功耗,减少在高频应用中的热损耗,这对于高效能电源转换至关重要。
  • 良好的开关特性: 由于其较低的栅极电荷(Qg)和高门极电压特性,RDR005N25TL能实现快速开关切换,适用于开关电源和其他快速开关应用。
  • 高工作温度: 150°C的工作温度范围,使其在极端条件下仍然能够确保性能稳定。

3. 应用领域

RDR005N25TL的高电压和电流处理能力,使其在多个领域均表现出色:

  • 开关电源: 在恒压和恒流应用中用作开关器件和控制器,确保高效能电源转换。
  • DC-DC转换器: 利用其高频性能和低导通电阻,在直流电源转换系统中提升效率。
  • 电机驱动: 可用作电机控制电路中的开关元件,提供高效能的电机驱动解决方案。
  • 家电和消费电子: 广泛用于各类家电产品,如电饭煲、冰箱、洗衣机等,实现高效的功率管理。

4. 设计考虑

在使用RDR005N25TL时,设计者需注意以下要点:

  • 散热管理: 尽管该器件具有较高的功率耗散能力,但在实际应用中依然需进行良好的散热设计,以防止器件过热而影响性能。
  • 驱动电压选择: 根据实际工作状态,将栅源电压合理设定在4V至10V范围内,以确保MOSFET能以最佳状态工作,并降低导通电阻。
  • 输入信号的干扰: 精确控制信号的传输以及驱动电流,防止在高频操作中引入噪声干扰。

5. 小结

RDR005N25TL是一款集成度高、性能卓越的N沟道MOSFET,非常适合各种电源管理和开关控制的应用场景。ROHM作为这一领域的知名制造商,致力于提供高品质、高性能的电子元器件。本产品设计旨在满足现代电子产品在高效能和高稳定性方面的需求,是智能设备、工业设备和消费电子产品中的理想选择。通过合理的设计使用RDR005N25TL,能够进一步提升电源系统的效率和可靠性。