型号:

PBSS4160DS,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSOP
批次:2年内
包装:编带
重量:0.029g
其他:
PBSS4160DS,115 产品实物图片
PBSS4160DS,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 420mW 60V 1A NPN SOT-457
库存数量
库存:
18540
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.579
200+
0.399
1500+
0.363
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)420mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@500mA,5V
特征频率(fT)220MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@1A,100mA

PBSS4160DS,115 产品概述

概述

PBSS4160DS,115是一款高性能的表面贴装型NPN双极型晶体管(BJT),专为各种电子电路中的开关和放大应用而设计。作为Nexperia(安世)的产品之一,PBSS4160DS,115在满足高频率指标的同时,保持了出色的电流处理能力和能效表现,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。

关键特性

  1. 电流处理能力:PBSS4160DS,115最大集电极电流(Ic)可达1A,确保在大多数应用场景中,能够可靠地提供必要的电流。这使得它非常适合于驱动电机、开关电源及其他负载要求较高的场合。

  2. 耐压能力:该晶体管的集射极击穿电压最高可达到60V,适用于各种高电压环境,有效防止电路受损,增强了电路的安全性与稳定性。

  3. 功耗特性:PBSS4160DS,115最大功率可达420mW,这使得其在高频工作时依然能保持较低的发热量,适合于长时间工作并且要求高能效的应用。

  4. 高频性能:该晶体管的频率跃迁达到220MHz,能够在快速开关场合中表现出色。在高频应用中,如RF放大器及滤波器,PBSS4160DS则显得尤为重要。其优异的响应速度为设计提供了广泛的灵活性和兼容性。

  5. 低Vce饱和压降:在不同电流情况下,PBSS4160DS,115在集电极电流为100mA和1A时,其Vce饱和压降最大为250mV,这意味着在开关状态下具有极低的功耗,有助于提升整体电路效率。

  6. 高增益特性:在500mA电流和5V的条件下,该晶体管的直流电流增益(hFE)最低达到200,提供良好的信号放大能力,适用于需要高增益的应用场合,如音频放大器与信号放大器。

  7. 工作温度:工作温度范围可达150°C的最高结温,使得PBSS4160DS,115能够在恶劣的温度条件下维持良好的工作稳定性。

封装和设计

PBSS4160DS,115采用6-TSOP封装,这种小型化设计的优点在于能够有效节省PCB空间,促进了高密度的电路设计,特别适合于移动设备、便携式工具和复杂信号处理系统。

应用领域

PBSS4160DS,115广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 消费电子:如手机、平板电脑和音响系统等。
  • 工业控制:在嵌入式控制和自动化系统中作为驱动和控制元件。
  • 电源管理:在开关电源和电压调节模块中,作为关键控制元件。
  • 无线通信:在RF信号处理、放大和调制解调器中至关重要。

结语

PBSS4160DS,115凭借其高性能的电流处理能力、优越的功耗和高增益特性,成为设计工程师在多个应用领域的重要选择。无论是工业应用还是消费电子,其出色的技术规格和可靠的性能,使其在市场上具备竞争优势,为不同领域的设备设计提供了良好的支持。通过将PBSS4160DS,115融入新的设计方案中,工程师能够有效提升产品性能,优化电路功能,降低能耗,实现更高的应用价值。