描述：场效应管(MOSFET) 3.8W 150V 33A 1个N沟道 TO-220AB
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1000+
6.1
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)56mΩ@10V,20A
功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)90nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.02nF
反向传输电容(Crss@Vds)91pF
工作温度-55℃~+175℃
IRFB33N15DPBF 产品概述
概述
IRFB33N15DPBF是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装，专为各类高电压和高电流应用设计。其关键规格包括漏源电压（Vdss）150V，连续漏极电流（Id）33A，以及广泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。该器件适合用于电源管理、马达驱动、焊接电源、DC-DC转换器以及各类需要高效开关的应用场合。
基本参数
- 封装类型: TO-220-3
- FET类型: N沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 150V
- 栅源电压 (Vgss): ±30V
- 安装类型: 通孔 (THT)
- 连续漏极电流 (Id): 33A @ 25°C（注：此参数依赖于散热条件，需考虑额外散热装置）
- 功率耗散 (最大值): 3.8W（环境温度下），170W（晶体管结温下，Tc）
- 导通电阻（Rds(on)）: 56 mΩ @ 20A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 5.5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 90nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 2020pF @ 25V
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
功能特性
高效能: IRFB33N15DPBF具有较低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中能够显著降低热损耗，提高能效。在20A的操作条件下，其导通电阻为56毫欧，从而减少额外热管理需求。
高耐压性: 该MOSFET具备150V的漏源电压能力，能够满足高电压应用需求，使其成为多种电源和驱动电路设计的理想选择。
宽工作温度范围: 从-55°C至175°C的工作温度范围使得IRFB33N15DPBF能够在严苛环境下稳定运行，适合军事和航空航天等对温度极为敏感的应用场景。
优良的开关性能: 高输入电容（Ciss）和相对较低的栅极电荷（Qg），使该器件在开关频率较高时依然能够保持优良的开关特性，适合高频应用。
应用领域
IRFB33N15DPBF广泛应用于以下领域：
- 电源转换器: 在DC-DC转换器和AC-DC电源中作为开关元件，确保高效的能量转换。
- 马达驱动: 在工业马达控制中，可以有效提高效率和降低功耗。
- 电动工具: 提供强大的电流驱动能力，适应电动工具立即起动和负载变化的需要。
- 储能系统: 在太阳能逆变器或储能系统中，提供高效的电流控制和管理。
结论
总之，IRFB33N15DPBF作为一款高效能、高电压和高电流的N沟道MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，为各类电子设备和系统提供了强有力的支持。尤其适用于需要高开关频率和高效能的电源管理及马达驱动应用，为设计工程师们提供了一个理想的解决方案。其优异的性能和可靠性使其在现代电子设计中占据了一席之地。