型号:

IRF7307TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:0.286g
其他:
IRF7307TRPBF 产品实物图片
IRF7307TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 50mΩ@2.6A,4.5V 20V 5.2A;4.3A SOIC-8
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产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.2A;4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@2.6A,4.5V
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)660pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述: IRF7307TRPBF

1. 产品简介

IRF7307TRPBF 是英飞凌(Infineon)推出的一款具有优异电性能和可靠性的场效应管(MOSFET)器件,特别适用于各类开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用场景。该器件采用先进的半导体材料和封装技术,能够在高电流和高频率下稳定工作,提供良好的导通特性,满足多种工业及消费电子产品设计的需求。

2. 关键参数

  • FET 类型:N 和 P 沟道。该器件可在多种设计中灵活应用,包括正负载和反相配置。
  • 漏源电压(Vdss):20V,适合低至中等电压应用。
  • 连续漏极电流(Id)
    • N 沟道:5.2A
    • P 沟道:4.3A
  • 导通电阻(Rds(on)):50 毫欧 @ 2.6A,4.5V,表现出色的导通特性,降低了功率损耗。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值 700mV @ 250µA,提供了可靠的开关行为。
  • 栅极电荷(Qg):最大值 20nC @ 4.5V,控制电路设计简单且效率高。
  • 输入电容(Ciss):最大值 660pF @ 15V,确保电路的快速响应和稳定性。
  • 功率最大值:2W,适合较高的功耗应用场景。
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,极宽的工作温度范围使其适用于严苛的环境条件。

3. 封装与安装

IRF7307TRPBF 采用表面贴装型封装(SO-8),其尺寸为 0.154"(3.90mm 宽)。这种紧凑的封装设计不仅节省了电路板空间,还使得该器件更加适合自动化生产和高密度布局的现代电子产品。

4. 应用领域

  • 开关电源:IRF7307TRPBF 适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器的主开关与同步整流,确保高效率和稳压输出。
  • 电机驱动:广泛应用于各种电机控制电路中,例如无刷直流电机(BLDC)驱动、步进电机控制等,提供快速响应和高效能驱动。
  • 消费电子:如电池管理系统、智能手机、便携式设备等,能够在有限空间内提供可靠、稳定的电流管理。

5. 性能优势

IRF7307TRPBF 的设计充分体现了高性能 MOSFET 的优势。其低导通电阻有效降低了能量损失,且高电流承受能力使其能在较高负载条件下稳定运行。此外,宽广的工作温度范围意味着该器件在多种应用环境中均能正常工作,大大提升了产品的可靠性和适用性。

6. 总结

综上所述,IRF7307TRPBF 是一款多功能、高效率且热稳定的MOSFET,相信将为各行业的设计工程师提供灵活的解决方案。在选择电子元器件时,IRF7307TRPBF 的各种特性无疑将为设计提供强有力的支持,并促进更先进、高效的产品开发。