型号:

IRF7240TRPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:0.286g
其他:
IRF7240TRPBF 产品实物图片
IRF7240TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W 40V 10.5A 1个P沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
4341
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.11
100+
3.44
1000+
3.18
2000+
3.03
4000+
2.9
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,10.5A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)110nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)9.25nF
反向传输电容(Crss@Vds)520pF
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:IRF7240TRPBF P沟道MOSFET

基本信息

IRF7240TRPBF 是一款高性能的 P沟道MOSFET,广泛应用于开关电源、直流电机驱动以及其他高效率功率管理应用中。该器件由领先的半导体制造商英飞凌(Infineon)提供,具有可靠的性能和优良的热管理能力,适合多种工业和消费电子应用。

参数特征

  1. 电气特性

    • 漏源电压(Vdss): 40V,这意味着在最大工作电压下,器件能有效工作,适合常见的电源电压需求。
    • 连续漏极电流(Id): 10.5A(在25°C环境温度下),表明该MOSFET在高负载电流情况下的良好表现,适合大功率应用。
    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 3V @ 250µA,显示该器件在较低的栅压下即可高效开启,适合低电压驱动电路。
  2. 导通电阻(Rds(on)):

    • 在10.5A和10V的条件下,其漏源导通电阻为15mΩ。这一低导通电阻确保了在开关操作期间的能量损失最小化,使得IRF7240TRPBF能在高效能和发热控制方面表现出色。
  3. 功率耗散:

    • 最大功率耗散为2.5W(在25°C环境下),提供了良好的散热性能,有止于元器件在高负载下表现稳定,延长使用寿命。
  4. 驱动电压:

    • 此器件的驱动电压范围为4.5V到10V。即使在相对较低的驱动电压下,依然保证了器件的良好导通特性,适应不同驱动电路的需求。
  5. 工作温度范围:

    • IRF7240TRPBF 的工作温度范围是 -55°C 到 150°C,证明其适用于极端环境,同时可以满足工业、汽车等领域的应用需求。
  6. 封装与安装:

    • 本器件采用表面贴装型封装(SO-8),尺寸小巧,有助于减小电路板面积,适合高密度封装应用。

应用场景

由于其可靠的电气特性和宽广的工作温度范围,IRF7240TRPBF 被广泛应用于:

  • 开关电源:作为开关元件,提升电源转换效率。
  • 电机驱动:用于控制直流电机,提供较高的电流承载能力和较低的热损耗。
  • 电源管理电路: 在高效的功率预算设计中使用,如DC-DC转换器、稳压电源等。
  • 自动化控制系统:在机器人和工业自动化设备中,提供可靠的高电流开关。

总结

IRF7240TRPBF 以其优越的电气特性和高可靠性,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。其出色的性能确保了在复杂和要求苛刻的环境中仍能稳定工作,是高效能电子产品的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,IRF7240TRPBF 都能够为设计师提供信心,推动创新与性能的提升。