型号:

HBDM60V600W-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:-
包装:编带
重量:0.031g
其他:
HBDM60V600W-7 产品实物图片
HBDM60V600W-7 一小时发货
描述:三极管(BJT) 200mW 65V;60V 500mA;600mA NPN+PNP SOT-363-6
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.397
3000+
0.371
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)500mA;600mA
集射极击穿电压(Vceo)65V;60V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@150mA,10V;100@100mA,1V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@50mA,500mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:HBDM60V600W-7

概述

HBDM60V600W-7 是一款高性能的双极型晶体管(BJT),具备广泛的应用潜力,尤其在电子设备的开关和放大电路中表现优异。该产品由 DIODES(美台)制造,采用小型化的 SOT-363 封装,适合现代电子产品级别的小型化和高效能要求。

基本参数

  • 额定功率:200mW
  • 集电极电流 (Ic):最高可达 600mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 60V
  • 晶体管类型:支持 NPN 和 PNP 两种类型,具有更广泛的适用性
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降:降低至最大 400mV @ 10mA,100mA,有助于提高电路的效率;500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止:最大 100nA,展现出优越的静态特性
  • DC 电流增益 (hFE):在不同的工作条件下,最小可达 100 @ 100mA,1V / 100 @ 150mA,10V,确保在各种负载条件下均能提供稳定的增益
  • 频率 - 跃迁:高达 100MHz,适合高频应用
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,适用于严苛的工作环境
  • 安装类型:表面贴装型(SMD),符合现代PCB设计要求

封装和尺寸

HBDM60V600W-7 采用 SOT-363,SC-88 封装,尺寸小巧,便于在空间受限的应用场景中采用。6-TSSOP 和 SOT-363 封装确保其在各种电路板上的兼容性和稳固的焊接性能。

应用领域

由于 HBDM60V600W-7 的多种特性,使其能够广泛应用于多种领域,包括但不限于:

  1. 开关电源:其高截断电流和低饱和压降使之成为开关电源电路的理想选择。
  2. 音频放大器:凭借其出色的线性性能,能够用于音频信号的放大。
  3. 驱动电路:在驱动继电器或其他负载时,该晶体管可以提供所需的驱动电流。
  4. 信号放大:适合在传感器和其他低信号源中进行信号放大,提升信噪比。

设计优势

  1. 高效率:低 Vce 饱和压降联合高增益特性,使其在工作时能保持高效率,降低热量产生。
  2. 宽温范围:广泛的工作温度范围使其可以在各种严酷环境中可靠运行。
  3. 小型封装:SOT-363 封装有助于减小总体电路板面积,同时提高装配密度。
  4. 双极型设计:NPN 与 PNP 兼容性使得在设计电路时更为灵活,能够应对不同的设计需求。

结论

HBDM60V600W-7 是市场上性能卓越、尺寸小巧的双极型晶体管之一,凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域,能够满足现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。无论是用于工业控制,还是消费电子设备,该产品都能提供领先的解决方案。通过采用 HBDM60V600W-7,设计工程师可以有效提升电路设计的效率和可靠性,创造出更具竞争力的产品。