型号:

DZT953-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:-
包装:编带
重量:0.149g
其他:
DZT953-13 产品实物图片
DZT953-13 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 100V 5A PNP SOT-223-4
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最小包:2500
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梯度内地(含税)
1+
1.03
2500+
0.972
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)5A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1A,1V
特征频率(fT)125MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)260mV@4A,400mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DZT953-13 产品概述

概述

DZT953-13 是一款符合高性能要求的PNP型双极结晶体管(BJT),适用于多种应用场景。这款晶体管以其高集电极电流和宽工作温度范围受到广泛欢迎,可以在各种苛刻环境下正常工作。其卓越的电参数使其非常适合用于电源管理、开关电路以及其他功率放大用途。

基本参数

DZT953-13 的基本电气特性包括:

  • 晶体管类型: PNP
  • 集电极电流(Ic): 最大值为5A,这使得它能够处理较大的信号和功率负载。
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大值为100V,确保在高电压环境下的稳定运行。
  • 额定功率: 该器件的额定功率为1W,适合用于需要中等功率管理的电路。
  • 直流电流增益(hFE): 在Ic为1A,Vce为1V时,hFE的最小值为100,意味着它具有良好的放大能力。
  • 截止电流(ICBO): 最大值为50nA,显示出在不工作状态下的低漏电流特性。

饱和压降

DZT953-13 还具有出色的饱和压降特性。在不同电流条件下,Vce饱和压降的最大值为420mV (在400mA和4A的条件下),这表明在开启状态中能有效降低功耗,提高电路效率。

频率特性

该晶体管的跃迁频率为125MHz,这使得 DZT953-13 在高频应用中表现优异,适用于快速开关电路和高频放大应用。

工作温度

DZT953-13 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,此广泛的温度范围保证了其在极端环境下的可靠性,使其在军工、航空航天及汽车等高要求领域表现出色。

封装与安装形式

DZT953-13 采用 SOT-223 封装,这是表面贴装型器件,能够提高组装效率并节省PCB空间。封装设计兼顾了散热与集成,为现代电子设备的小型化和高密度设计提供了支持。

应用领域

DZT953-13 适用于多种应用,包括但不限于:

  1. 开关电源: 可用作开关管,提供高效的电能转换。
  2. 功率放大器: 适合用于音频放大及其他信号放大电路。
  3. 电机驱动: 在电机控制电路中,作为开关元件使用,能够有效控制电机的启动与运行。
  4. 高频转换: 由于其高跃迁频率,非常适合用于 RF 及微波频谱相关应用。

结论

DZT953-13 是一款高性能的PNP型晶体管,凭借其卓越的电气特性和适应广泛应用场合的能力,被广泛应用于现代电子设备中。它的高集电极电流、低饱和压降和广泛的工作温度范围,使其在顶级电子设计中成为理想选择。对于研发人员和工程师来说,DZT953-13 提供了一种可靠的解决方案,满足高性能电路的需求,同时保持优良的导通特性和低功耗特性。