型号:

DMTH4007SPD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI5060-8
批次:5年内
包装:编带
重量:-
其他:
DMTH4007SPD-13 产品实物图片
DMTH4007SPD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.6W 40V 14.2A 2个N沟道 TDFN-8-Power
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最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.81
100+
4.01
1250+
3.65
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.6mΩ@10V,17A
功率(Pd)37.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)41.9nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.026nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)84.8pF@30V
工作温度-55℃~+175℃

DMTH4007SPD-13 产品概述

DMTH4007SPD-13 是一款高性能的N通道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)出品。该器件采用表面贴装型封装,型号为PowerDI5060-8,旨在提供优异的电气性能和热管理特性,适合多种高频和大电流的应用场合。

1. 基本特性

导通电阻与电流特性
在电流 Id 为 17A 和栅极电压 Vgs 为 10V 时,DMTH4007SPD-13 的最大导通电阻仅为 8.6 毫欧。这意味着在正常操作条件下,该MOSFET能够有效减少功耗,提高系统能效。同时,在常温(25°C)下,其连续漏极电流(Id)可达14.2A,确保在高负载下的稳定性和可靠性。

输入电容特性
针对输入特性,DMTH4007SPD-13 的最大输入电容(Ciss)在30V时为2026pF。这一参数在高速开关应用中显得尤为重要,因为较小的输入电容能够减小开关损耗,提高开关速度,从而提升系统的整体性能。

栅极电荷
该MOSFET的栅极电荷(Qg)的最大值为41.9nC(在10V的Vgs条件下),这一特性使得DMTH4007SPD-13 在驱动电路中具有出色的动态性能,降低了驱动电路功耗的同时,提升了开关速度。

2. 温度和电压范围

DMTH4007SPD-13 工作温度范围广泛,可在-55°C至175°C的极端环境下稳定工作,极大地拓宽了其应用场景,涵盖工业、汽车等要求严苛的应用。其漏源电压(Vdss)额定40V,适合各种低压电源管理场合,能够有效应对瞬态过电压。

3. 应用场合

由于其卓越的性能与稳定性,DMTH4007SPD-13 广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:特别是在DC-DC转换器和电源开关中,能够有效降低导通损耗,改进系统效率。
  • 电动汽车:适合用于驱动电机控制和电池管理系统,满足高效率和高可靠性的需求。
  • 工业控制:在电机驱动和载流保护电路中提供高导通能力,确保设备安全与高效运行。
  • 消费电子:适用于快速充电电路及各种便携式设备中,提升设备性能与续航。

4. 竞争优势

DMTH4007SPD-13 的设计思想注重效率与热管理,其低导通电阻与高电流容量相结合,确保在高负载条件下依然可以保持优异的散热性能。此外,采用TDFN-8封装,使得该器件在空间上的表现十分出色,便于在狭小的电路板上实现高密度布线。

5. 总结

总体来看,DMTH4007SPD-13 是一款技术先进的N通道MOSFET,凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,成为电子设计工程师在新能源、电源管理及工业应用领域中首选的重要组件。它的高可靠性与卓越性能,将为各种应用提供可靠保障,为电源设计的创新与优化开辟更广阔的可能性。