描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个P沟道 SO-8
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1250+
2.19
2500+
2.1
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)17mΩ@4.5V,10A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)60.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.748nF
反向传输电容(Crss@Vds)356pF
工作温度-55℃~+150℃
DMP3015LSSQ-13 产品概述
一、产品背景
DMP3015LSSQ-13 是一款高性能的P沟道MOSFET（场效应管），由DIODES（美台）公司制造，专为电源管理和开关应用而设计。凭借其卓越的电流承载能力及低导通电阻特性，该器件适用于各种需要高效率和较高开关频率的电子电路，如DC-DC变换器、功率放大器及电机驱动等。
二、主要特性
电气规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V，适用于工作在低压、高效能的应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 13A（在25°C环境温度下工作），使其能够承受较大的负载电流。
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值11毫欧，能够有效降低功耗和发热，提升整体系统效率。
驱动电压
- 该器件的门极驱动电压在4.5V至10V的范围内可实现最佳的导通状态，确保了对各种驱动电路的兼容性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）
- 最大值为2V @ 250µA的阈值电压，保证了该MOSFET在较低的栅极电压下即可实现导通，适合低电压驱动应用。
栅极电荷（Qg）
- 最大值60.4nC @ 10V，较低的栅极电荷值有助于实现快速开关，降低开关损耗，从而提高整体效率。
输入电容（Ciss）
- 最大值为2748pF @ 20V，该电容值在高频操作时提供了良好的稳定性，同时也促进了快速开关响应。
功率耗散
- 最大功率耗散为2.5W，适合需要较高散热能力的应用。
工作温度范围
- -55°C至150°C的广泛工作温度范围使其可以在极端环境下稳定工作，极大地增强了应用的灵活性。
封装与安装
- 采用8-SO封装，这种表面贴装型封装有助于实现高密度电路设计，且支持快速组装，适合大规模生产需求。
三、应用场景
DMP3015LSSQ-13广泛用于以下场景：
- 电源管理：在绿色能源和可再生能源转换系统中，用作主开关元件，提升能量转换效率。
- 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）的驱动控制，能提供高效的电流控制。
- 汽车电子：在车载电子设备中作为功率开关，具有高耐温性，适应汽车环境。
- 消费电子：用于LED驱动、开关电源（SMPS）等便携和家用产品中。
四、总结
DMP3015LSSQ-13是一款具有极高性价比的P沟道MOSFET，其低导通电阻、优越的电流处理能力和广泛的工作温度范围，使其在多个高效能电子应用中更具竞争力。结合其卓越的电气性能与DIODES的品质保证，使其成为设计工程师与电路开发者的理想选择。无论是在传统电源应用还是在新兴的绿色能源技术领域，DMP3015LSSQ-13都能够为设计者提供可靠的解决方案。