型号:

ZXTN4004KQTC

品牌:DIODES(美台)
封装:TO252
批次:25+
包装:编带
重量:0.539g
其他:
ZXTN4004KQTC 产品实物图片
ZXTN4004KQTC 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3.8W 150V 1A NPN TO-252
库存数量
库存:
2190
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.09
2500+
1.03
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)150V
功率(Pd)3.8W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@85mA,0.20V
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@100mA,5mA
工作温度-55℃~+150℃

ZXTN4004KQTC 产品概述

1. 概述

ZXTN4004KQTC 是一款高性能的 NPN 晶体管,广泛应用于电源管理、信号放大及开关电路等领域。该器件由 Diodes Incorporated(美台半导体)制造,具备卓越的电气特性和可靠的工作性能,适合于各种电子设备的设计和开发。其封装类型为 TO-252(D-Pak),这使得 ZXTN4004KQTC 易于表面贴装,便于自动化生产和减小PCB面积。

2. 主要电气参数

ZXTN4004KQTC 的主要电气参数如下:

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大值 1A
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 最大值 150V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 当基极电流 Ib 为 5mA 或 100mA 时,最大值为 250mV
  • 集电极截止电流 (Icbo): 最大值 500nA
  • 直流电流增益 (hFE): 在 150mA 时,最小值为 100
  • 功率耗散: 最大值 3.8W

3. 温度范围

ZXTN4004KQTC 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C 之间(TJ),使得其能在极端环境下稳定运行。这一特性尤其适合于工业、汽车及军事等高温度应用场合。

4. 封装与安装

ZXTN4004KQTC 采用 TO-252 (D-Pak) 封装,具备较好的散热性能与较小的尺寸,便于在高密度电路中使用。表面贴装类型的设计特点使得其可以轻松进行自动化贴装,提高生产效率并减少人工成本。

5. 应用领域

ZXTN4004KQTC 可以广泛应用于以下几个领域:

  • 电源开关: 适用于 DC-DC 转换器、开关电源模块等设备,提供高效的电流控制。
  • 信号放大: 可用于音频放大器和其他需要信号增益的应用,提供较好的线性性和增益稳定性。
  • 线性调节器: ZXTN4004KQTC 可以作为线性稳压器中的主要开关元件,用于提供稳定的输出电压。
  • 开关电路: 它在各种开关应用中表现出色,可用作开关电路的主导开关元件。

6. 性能优势

  • 高效率: ZXTN4004KQTC 的饱和压降小于 250mV,确保在开关状态下有更低的功率损耗,提高整体电路效率。
  • 高增益: 该器件具有较高的直流电流增益,意味着可以通过较小的基极电流控制较大的集电极电流,简化电路的设计。
  • 热稳定性: 它的广泛工作温度范围确保了在高温环境下的长时间稳定运行,适用性更强。
  • 可靠性: 作为知名品牌的半导体产品,ZXTN4004KQTC 经过严格的质量控制,具有良好的可靠性和一致性。

7. 结论

ZXTN4004KQTC 是一款性能优越的 NPN 晶体管,适用于涉及开关、信号放大和电源管理的多种电子应用。凭借其高集电极电流能力、高击穿电压及低饱和压降的特性,该器件为设计师提供了强大的灵活性,同时确保了电路的高效和可靠性。无论是在消费电子、工业控制还是其他高要求的电子设备中,ZXTN4004KQTC 都是一个理想的选择。