型号:

ZXMP6A17GTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.232g
其他:
ZXMP6A17GTA 产品实物图片
ZXMP6A17GTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 60V 3A 1个P沟道 SOT-223-4
库存数量
库存:
14585
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.3
50+
0.998
1000+
0.92
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@4.5V,3.5A
功率(Pd)16W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@2.2A
栅极电荷(Qg@Vgs)9nC
输入电容(Ciss@Vds)637pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)53pF
工作温度-55℃~+150℃

ZXMP6A17GTA 产品概述

一、产品背景

ZXMP6A17GTA 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于电源开关、驱动电路和电池管理等领域。作为 SOT-223 封装的元器件,其因小型化和高效能特点,深受电子工程师的喜爱。该器件具备优异的热性能和可靠性,适用于多种工作环境和应用。

二、基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 60V,适合用于中等电压的应用场景。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境下,其最大连续漏极电流为 3A,能够承受一定程度的负载。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 在 1V @ 250µA 时达到导通,确保在低电压下就能有效驱动。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 在 2.2A 和 10V 的条件下,漏源导通电阻为 125mΩ,能最小化功耗和发热。
  • 最大功率耗散: 在 25°C 时的功率耗散能力达到 2W,可有效提高设备的运行稳定性。
  • 工作温度范围: 该器件可在 -55°C 到 150°C 的温度范围内工作,适合于极端环境下的应用。
  • 栅极电荷(Qg): 最大值为 17.7nC @ 10V,具备较低的驱动功耗,使得开关速度更快。
  • 输入电容(Ciss): 在 30V 时的输入电容最大为 637pF,适合快速开关操作。

三、结构与封装

ZXMP6A17GTA 使用 SOT-223 封装,具有小体积和良好的热管理性能。其表面贴装设计(SMD)使得安装更加方便、牢固,忽略了传统插件式元件的空间浪费。在多层电路板设计中,能够有效减少PCB面积占用,提高整体设计的紧凑性。

四、应用领域

ZXMP6A17GTA 广泛应用于如下领域:

  1. 电源管理: 可用于DC-DC转换器,适合在线电源、开关电源和电池充电器等设备。
  2. 电机控制: 作为电机驱动电路的关键器件,有助于实现高效能的电机控制。
  3. 汽车电子: 在汽车电子系统中,ZXMP6A17GTA 由于其高耐压和稳定性,可用于电源开关、LED 驱动以及信号传输。
  4. 便携设备: 评价其较高的效率和较低的发热特性,适合用在手持设备、可穿戴设备等低功耗电子产品上。

五、优势

  • 高效能: 其低导通电阻有助于降低能耗,提供更高的工作效率。
  • 宽工作范围: 工作温度范围广泛,确保产品在不同环境下仍能稳定工作,增加产品的应用适用性。
  • 良好的驱动特性: 低阈值电压和快速开关速度特性,使得 ZXMP6A17GTA 在高频应用中表现优异。

六、总结

在现代电子设备的设计中,选择合适的元器件至关重要。ZXMP6A17GTA 作为一款高性能的 P 型沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性和良好的热性能,满足了多个应用领域的需求,展现了其在电子行业的重要价值。设计工程师可以信赖 ZXMP6A17GTA 在各种复杂应用环境下的表现,为产品的性能优化提供强有力的支持。