描述：场效应管(MOSFET) 8.3W；136W 100V 37.1A 1个P沟道 TO-252
库存数量
库存：
1765
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
7.12
100+
6.14
1000+
5.85
2000+
5.65
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@10V,9.2A
功率(Pd)95W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)4.6nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)175pF@50V
工作温度-55℃~+175℃
SUD50P10-43L-E3 产品概述
SUD50P10-43L-E3是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能P沟道MOSFET，具有广泛的应用场景，特别适合用于功率管理及开关应用。凭借其优异的电气性能和苛刻的环境适应能力，SUD50P10-43L-E3被广泛用于工业设备、电源转换、汽车电子及其他需要高效功率调节的领域。
技术规格
- FET配置（电路类型）：P沟道
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：100V
- 最大漏极电流（Id, 连续）：37.1A（在Tc条件下）
- 导通电阻（RDS(on)）：43毫欧
- 阈值电压（VGS(th)）：3V @ 250µA
- 最大耗散功率：8.3W（环境温度）; 136W（晶体管结温）
- 封装类型：TO-252（D-Pak），适合表面贴装
- 工作温度范围：-55°C至175°C（结温TJ）
性能特点
高效能：SUD50P10-43L-E3在不同的条件下表现出较低的导通电阻（RDS(on)仅为43毫欧），这有助于减少功率损耗，提高效率。这使其成为在要求节能和发热量低的应用场合的理想选择。
宽电压范围：该器件的漏源击穿电压高达100V，这为其在高电压应用中的使用提供了安全边界，适合采用高压电源或对电压敏感的电路设计。
优越的热管理：在结温（Tc）达到136W的条件下，SUD50P10-43L-E3表现出良好的热管理能力，使其能在严苛的工作环境中稳定运行，降低了因过热导致的故障风险。
快速开关特性：该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为160nC @ 10V，有助于实现快速开关切换，这对于自适应负载和高频率应用至关重要。
应用领域
由于其优异的性能，SUD50P10-43L-E3被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器中作为开关管，优化能量转移并提高系统整体效率。
- 电机控制：在电机驱动电路中作为开关组件，实现对电机供电的精确控制。
- 汽车电子：适合用于汽车的电源分配和电动助力转向等应用，可以在高温环境下可靠运行。
- 工业设备：在要求油温或水温较高的环境中表现良好，如电动工具、电池充电器和工业自动化设备。
结论
SUD50P10-43L-E3不仅是一款性能强大的P沟道MOSFET，其各项技术参数显示了良好的超高效能与可靠性。凭借其宽广的工作温度范围和高额的耐压能力，使其在电源管理和其他高功率应用中成为可靠的选择。无论是在设计新产品，还是在现有应用中进行性能提升，威世的SUD50P10-43L-E3都提供了极大的灵活性和可持续的解决方案。选择该产品，可以助力您的项目在市场上获得成功。