型号:

STP75NF75

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220AB
批次:2年内
包装:管装
重量:2.74g
其他:
STP75NF75 产品实物图片
STP75NF75 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 300W 75V 80A 1个N沟道 TO-220
库存数量
库存:
82
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.54
1000+
2.43
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,40A
功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)160nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.7nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

STP75NF75产品概述

一、基本信息

STP75NF75是一款强大的N沟道MOSFET(场效应管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产,旨在满足高功率、高效率电子应用的需求。该器件具有出色的电气特性和广泛的工作温度范围,使其在工业和消费电子领域中非常适用。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 75V

    • STP75NF75的漏源电压额定值为75V,这使其能够处理相对高的电压应用,适用于电源管理、电动机驱动和开关电源等领域。
  2. 连续漏极电流(Id): 80A(在25°C时)

    • 该器件的连续漏极电流在25°C下可达80A,确保在高负载下的稳定工作,适合大功率马达驱动及功率转换器应用。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA

    • 栅源极阈值电压为4V,意味着该设备可在较低的栅压下开启,非常适合低电压驱动电路。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 11mΩ @ 40A, 10V

    • 低导通电阻意味着在工作时能量损耗较少,从而提高系统效率,降低发热,适合对能源效率要求严格的应用场景。
  5. 最大功率耗散: 300W(在Tc=25°C时)

    • 该MOSFET拥有高达300W的功率耗散能力,能够应对高功率应用的严苛要求,如电源整流、功率放大等。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 175°C

    • STP75NF75的宽广温度范围使其能够在极端环境中稳定工作,适应军事、航空航天等领域的需求。
  7. 封装类型: TO-220AB

    • 采用TO-220AB封装,具有良好的散热特性,适合于需要高功率传输的应用。此外,通孔安装设计便于在各种电路板上轻松集成。

三、应用场景

STP75NF75因其卓越的电气性能和可靠的耐用性,适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 优化电能转换效果,提高能量传递效率。
  • 电动机驱动: 提供稳定的驱动电流,促进电动机在各种条件下高效工作。
  • 电源管理: 用于DC-DC转换器、升压和降压转换器,确保电压稳定性。
  • 汽车电子: 在高温、高电流环境中,STP75NF75的稳定性使其非常适合用于汽车电源管理和电子控制单元(ECU)中。

四、优势

  1. 高效能: 由于低导通电阻,STP75NF75能够在降低功耗的同时提高传输效率。
  2. 高可靠性: 穿越-55°C至175°C的工作温度范围,使得该器件在极端环境下工作也能保持出色的性能。
  3. 易于散热: TO-220封装为高功率应用提供良好的散热效率,确保长时间稳定运行。

五、总结

STP75NF75是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,广泛应用于高功率和高效率的电子设备中。无论是在工业自动化、消费电子还是汽车领域,它都能提供卓越的性能和可靠性,是设计工程师在选择功率开关元件时的理想选择。凭借意法半导体的技术优势和优质保证,STP75NF75将最大限度地满足现代电子系统对性能和效率的要求。