STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP 产品概述

STP6NK90ZFP 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 沟道 MOSFET。这款器件被广泛应用于高压和高效能的开关控制、功率转换、以及其他电子电路中，其卓越的性能使其在多个工业领域备受青睐。

基本规格

• 漏源电压（Vdss）：900V
• 连续漏极电流（Id，25°C 时）：5.8A（在临界条件下）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 100µA（表示开始导通所需的最小栅源电压）
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：2Ω @ 2.9A, 10V（在特定电流下的导通电阻值）
• 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W（在额定工作温度下的最大功耗）

电气特性

STP6NK90ZFP 采用先进的 MOSFET 技术，具有优越的导通性能和低导通损耗。其最大泄露电压为900V，这使其即便在高电压环境下仍可安全操作。该器件的连续漏极电流达5.8A，适合用于高电流应用，尤其是在需要优化空间和效率的设计中。

栅极电荷最大值为60.5nC @ 10V，代表该 MOSFET 在开关状态转换时所需的控制信号强度，说明它具有较低的栅极驱动输入需求，适用于高频率的开关操作。此外，其输入电容（Ciss）最大值为1350pF @ 25V，这在高频应用中有助于降低开关损耗，提升整体效率。

温度特性与封装

STP6NK90ZFP 的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 150°C，保证了其在严酷环境中可靠工作。这为器件在高温、恶劣环境下的应用提供了更大的灵活性。该器件采用 TO-220FP 封装，便于通孔安装，适合散热片以及其他冷却方案的搭配，确保在高功率应用中能够有效保持稳定的工作温度。

应用场景

STP6NK90ZFP 的高电压和低导通电阻使其广泛应用于以下几个领域：

1. 电源管理：适用于开关电源、直流-直流变换器和交流电源处理，能够有效提高转换效率。
2. 工业控制：可用作电机驱动、快速开关和整流器，提升系统的响应速度和稳定性。
3. 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中，作为控制模块和动力系统中的功率开关，负责电池管理和电力分配。
4. 通信设备：在高频信号处理电路中，提供快速开关和精确控制功能，适用于高效能的基站和信号放大器。
5. 可再生能源：在太阳能逆变器和风能系统中，负责将直流电转换为交流电，有效提高能量输出。

总结

提供高效能、幵且稳定的工作特性，STP6NK90ZFP 是一款非常理想的 N 沟道 MOSFET，适用于各种高电压应用。其明显的电气性能、宽广的工作温度范围以及易于散热的封装设计，使其在多个行业中赢得了广泛 的应用和认可。无论是新产品开发还是系统优化，STP6NK90ZFP 都能成为工程师进行电路设计和改进的得力助手。