STP3NK80Z

STP3NK80Z 产品概述

概述

STP3NK80Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压 N 通道增强型场效应晶体管（MOSFET），此器件专为高电压应用而设计。它采用 TO-220-3 封装，具有 800V 的漏源极电压（Vdss），非常适合于电源管理、开关电源、逆变器和其他高压设计等多种应用场景。

主要技术参数

1. 封装与类型

   • 封装类型：TO-220-3
   • 安装类型：通孔焊接（THT）

2. 电气特性

   • 漏源极电压（Vdss）：800V
   • 栅源极电压（Vgss）：±30V
   • 连续漏电流（Id @ 25°C）：2.5A（在结温 Tc 下）
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4.5V（在 50µA 条件下）

3. 导通电阻

   • 最大导通电阻（Rds On）：4.5Ω @ 1.25A，10V 驱动电压

4. 电流特性

   • 功率耗散（最大值）：70W（在 Tc 条件下）
   • 工作温度范围：-55°C 到 150°C（结温 TJ）

5. 电容特性

   • 输入电容（Ciss）：485pF @ 25V
   • 栅极电荷（Qg）：最大值为 19nC @ 10V

应用场景

STP3NK80Z 由于其高电压、高功率特性，适用于众多应用领域，例如：

• 开关电源：可以用于AC-DC转换，提供稳定的电压和电流输出，同时实现高效节能。
• 电动机驱动器：能够承受高压和大电流，适合用于电动机驱动和控制系统。
• 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能和风能）中作为电流转换器，优化电源效率。
• 工业控制：用于各种工业设备中，以实现安全可靠的开关控制。

性能优势

1. 高效率：STP3NK80Z 的低导通电阻特性使其在开关操作期间能有效减少能量损耗，提高整体系统效率。

2. 耐高压：该 MOSFET 的 800V 耐压能力使其能够在高电压应用中保持稳定操作，减少组件损坏风险。

3. 广泛的工作温度范围：适合于各种恶劣环境，确保在极端条件下仍能可靠运行。

4. 简单的驱动需求：由于其较低的栅极电荷，驱动电路设计相对简单，为系统集成提供了便利。

结论

总体而言，STP3NK80Z 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，适合各种高电压、高功率的电子设备应用。凭借其优良的电气性能、广泛的应用领域以及一流的可靠性，STP3NK80Z 在电子行业中的重要性不容忽视，是设计高效能电源解决方案的理想选择。