型号:

STGB10NC60KDT4

品牌:ST(意法半导体)
封装:D2PAK
批次:5年内
包装:编带
重量:-
其他:
STGB10NC60KDT4 产品实物图片
STGB10NC60KDT4 一小时发货
描述:IGBT管/模块 2.5V@15V,5A 600V 65W 20A D2PAK
库存数量
库存:
19
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.34
100+
4.27
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)20A
功率(Pd)65W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.5V@15V,5A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)19nC
开启延迟时间(Td(on))17ns
关断延迟时间(Td(off))72ns
导通损耗(Eon)0.055mJ
关断损耗(Eoff)0.085mJ
反向恢复时间(Trr)22ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

STGB10NC60KDT4 产品概述

产品简介

STGB10NC60KDT4 是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求。这款 IGBT 具有优异的开关性能和热稳定性,是电机驱动器、电源转换器和其他工业设备中电源管理的重要组成部分。

关键特性

  1. 电压和电流规格
    STGB10NC60KDT4 具备具备 600V 的集射极击穿电压(VCE(max)),适合高压应用。其最大集电极电流 (Ic) 为 20A,能够满足多种高功率应用的要求。此外,最大脉冲电流 Icm 达到 30A,极大提升了其适用范围。

  2. 功率等级
    本产品的最大功率输出为 65W,适合需要额外功率处理的设备。

  3. 开关特性
    STGB10NC60KDT4 的开关时间具有出色的性能,开关延迟时间 (Td) 分别在 25°C 条件下为 17ns(开)和 72ns(关)。这表明其在高频率运用中的高效性。此外,反向恢复时间 (trr) 为 22ns,这一特性使其在开关电源及逆变器等应用中的表现尤为突出。

  4. 栅极电荷
    该器件的栅极电荷为 19nC,具有标准输入类型,意味着其在驱动电路设计中的兼容性高,有利于简化驱动电路的复杂性。

  5. 工作温度范围
    STGB10NC60KDT4 可在广泛的工作温度范围内稳定运行,从 -55°C 到 +150°C。这样的特性拖延了设备在严酷环境下的可靠性与耐久性,使其非常适合工业环境和高温应用。

  6. 封装与安装
    该 IGBT 采用 D2PAK 封装(TO-263-3,D²Pak),是一种表面贴装(SMT)类型,这种封装有助于提高热管理能力,同时方便自动化装配。

  7. 湿气敏感性等级 (MSL)
    STGB10NC60KDT4 的湿气敏感性等级为 1(无限),这意味着在存储和使用过程中不需要特别的干燥措施。

应用领域

得益于其优秀的电气特性,STGB10NC60KDT4 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电机驱动器:用于驱动DC电机、步进电机及伺服电机。
  • 逆变器:在太阳能逆变器和其它类型的电源转换器中,提供稳定的功率转换。
  • 电源管理:适用于消费电子产品及工业设备的电源方案。
  • UPS(不间断电源):保障数据中心对电力的不间断需求。

总结

STGB10NC60KDT4 是一款具有高耐压、高电流和优异开关性能的 IGBT 解决方案,非常适合各类高功率应用。凭借意法半导体的技术积淀和品质保证,这款 IGBT 为设计人员提供了一种可靠且高效的选择,尤其是在电机控制和电源转换等应用领域。无论在汽车、工业还是消费电子等多个市场,STGB10NC60KDT4 都能够满足广泛的使用需求,体现出其卓越的工程价值。