描述：通孔-N-通道-600V-19A（Tc）-35W（Tc）-TO-220FP
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产品参数
属性参数值
封装/外壳TO-220-3整包
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）600V
安装类型通孔(THT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）180 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）60nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2050pF @ 50V
功率耗散（最大值）35W（Tc）
工作温度150°C（TJ）
供应商器件封装TO-220FP
STF23NM60N 产品概述
概述
STF23NM60N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道 MOSFET，专为各类电源和功率转换应用设计。其主要特点包括高达 600V 的漏源极电压（Vdss）、19A 的连续漏极电流（Id）以及优良的导通电阻和散热性能，适合在高温和高功率密度条件下工作。
技术规格
STF23NM60N 的关键技术参数如下：
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- FET 类型：N 通道
- 漏源极电压（Vdss）：600V
- 连续漏极电流（Id）@25°C：19A（Tc）
- 驱动电压（Vgs）：最大 Rds On 时为 10V
- 导通电阻（Rds(on)）最大值：180mΩ @ 9.5A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值：4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）最大值：60nC @ 10V
- 栅源极电压（Vgs）最大值：±25V
- 输入电容（Ciss）最大值：2050pF @ 50V
- 功率耗散（Pd）最大值：35W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C至150°C
应用领域
得益于其卓越的电压和电流处理能力，STF23NM60N 适用于多种应用场景，主要包括：
- 开关电源：特别是在高频率和高效传输电能的场合，STF23NM60N 能够有效地回收和转化电能。
- 电机驱动器：可广泛应用于各种电机控制系统中，提供高效、可靠的驱动解决方案。
- 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中，STF23NM60N 能够提供稳定的电力转化，确保系统在断电时仍保持运行。
- LED 驱动电源：在需要高电流和高效能的照明应用中，STF23NM60N 的高导通性能非常理想。
- 直流-直流转换器：在 DC-DC 转换应用中，STF23NM60N 可用于各种电源转换，与其他元件组合形成高效的变换系统。
性能优势
- 高效率：STF23NM60N 的低导通电阻和较大的栅极电压允许其在高频率下高效工作，有效降低能量损耗。
- 热管理性能：产品的 TO-220 封装设计使其在工作时能够极大地提高散热效率，降低运行温度，有助于延长器件寿命。
- 宽工作温度范围：可靠的工作温度范围使得 STF23NM60N 能够在恶劣环境下稳定工作，适应各种工业和商业应用需求。
- 灵活性：该器件的多功能性使得它可以相对简单地集成到多种电路设计中，减少了不必要的设计复杂性。
结论
STF23NM60N 是一款适合多种高压高流应用的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流承载能力和良好的热性能，成为了现代电源设计中的理想选择。无论是在家用电器、工业设备还是新能源等领域，STF23NM60N 均能提供卓越的性能和可靠性。选择 STF23NM60N，将为您的项目带来高效、稳定的电源解决方案。