描述：表面贴装型-N-通道-20V-35A（Tc）-5W（Ta）-27.7W（Tc）-PowerPAK®-SO-8
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1.27
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产品参数
属性参数值
封装/外壳PowerPAK® SO-8
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1570pF @ 10V
功率耗散（最大值）5W（Ta），27.7W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
SIR496DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SIR496DP-T1-GE3是一款由威世半导体（VISHAY）公司制造的高性能N通道MOSFET，专为需要高电流和高开关频率的应用设计。该器件采用PowerPAK® SO-8封装，具有优化的热性能和紧凑的尺寸，适用于各种表面贴装应用。
二、主要特点
封装与外形：
- 采用PowerPAK® SO-8封装，专为表面贴装（SMT）设计，使其在电路板上占用更少的空间，同时方便自动化贴装和焊接。
电气指标：
- 漏源极电压（Vdss）：额定为20V，使其适合低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下最大为35A（Tc），足以应对高负载条件。
- 导通电阻（Rds(on)）：在Vgs为10V时，最大导通电阻为4.5毫欧（@ 20A），有助于减少开关损耗并提高能效。
驱动电压：
- 器件在4.5V和10V下均可工作，适合多种驱动应用，包括低电压驱动方案。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：
- 最大值为2.5V（@ 250µA），确保器件在较低的栅极电压下开通，适用于低电压控制电路。
输入电容（Ciss）：
- 最大值为1570pF（@ 10V），在高频开关应用中保证良好的频率响应。
温度范围：
- 工作温度范围宽广，从-55°C至150°C（TJ），使其在苛刻的环境条件下依然稳定工作。
功率耗散：
- 器件可在环境温度下最大功率耗散为5W，而在结温环境下最大功率耗散可达27.7W，满足高功率应用的需求。
三、应用领域
SIR496DP-T1-GE3可广泛应用于多种场景，主要包括：
- DC-DC转换器：理想的开关元件，可用于高效的电源管理系统。
- 电机驱动：在电动机控制电路中担任开关作用，提供高效驱动。
- 电子负载：适合在电子负载测试中强化性能体验。
- 高频开关电源：能够在高频条件下保持良好的电气性能与稳定性。
四、竞争优势
与其他同类产品相比，SIR496DP-T1-GE3在导通电阻和热管理方面表现出色，适合对功率损耗有严格要求的应用。其紧凑的封装设计和卓越的散热性能使其能够在更小的空间内处理更高的功率，推动设备向小型化、高效化发展。
五、总结
SIR496DP-T1-GE3是一款具有高可靠性和出色性能的N通道MOSFET，广泛适用于现代电源管理和开关电路中。凭借其创新的封装设计和优异的电气特性，威世半导体的该产品无疑是电子设计工程师在选择高效功率开关时的优先选择。相信未来随着电子设备对能效和空间的需求不断提升，该产品将发挥越来越大的市场价值。