SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3 产品概述

产品背景

SIR188DP-T1-RE3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品。这款产品专为高效的电力管理和开关应用而设计，具备优异的导电性能和热管理能力，广泛应用于电源转换、马达驱动和各种电力电子设备。

基础参数

这款 MOSFET 的基本参数如下：

• 安装类型：表面贴装型（SMD），适合自动化贴装工艺，节省空间并提高组件密度。
• 导通电阻（最大值）：3.85 毫欧 @ 10A，10V，反映其在导通状态下的低功耗特性，能够有效降低发热量。
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V 至 10V，建议的栅极驱动电压，为用户提供了灵活的电源设计选择。
• 连续漏极电流 (Id)：25.5A（环境温度 Ta）和 60A（结温 Tc），反映了该 MOSFET 的高负载能力，适合在高负荷情况下长时间工作。

电气特性

• 漏源电压（Vdss）：60V，使其适用于多种中等电压的应用场合。
• 功率耗散（最大值）：在环境条件下最大为 5W，结温下最大为 65.7W，这表明它在高功率应用中的出色热管理能力。
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)：最大值为 44nC @ 10V，低栅极电荷表示驱动电路的能量损耗降低，有利于高频开关应用。

其他重要参数

• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），其广泛的工作温度范围使得 SIR188DP-T1-RE3 可以在严酷环境下可靠工作。
• 栅极阈值电压 (Vgs(th))：在 250µA 处的最大值为 3.6V，提供了良好的开关控制能力。
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)：最大值为 1920pF @ 30V，较低的输入电容减少了在工作频率变化时的信号延迟。

封装与应用

SIR188DP-T1-RE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种封装结构的优势在于其出色的热传导特性，能够有效散热，同时圆弧形边缘设计增强了耐用性。该封装形式易于在高度集成的电路板上进行组装，适合各种高效能应用，如：

• DC-DC 转换器：提升电源转换效率，降低能量损耗。
• 电动机控制：广泛应用于无刷直流电机和步进电机的驱动。
• 充电器和电源管理：在便携式设备中提高充电效率，延长电池寿命。

结论

综上所述，SIR188DP-T1-RE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力和广泛的工作温度范围，在高频开关和高效能电力转换应用中表现出色。作为 VISHAY（威世）的高质量产品，SIR188DP-T1-RE3 将为您的设计提供稳定性和可靠性，是现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。