SIR182DP-T1-RE3

产品概述：SIR182DP-T1-RE3 N沟道MOSFET

1. 简介

SIR182DP-T1-RE3 是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有优异的电流承载能力和导通特性。这款MOSFET特别适合于需要高效率、高功率和高可靠性的电源管理应用。其出色的电气性能使其在工控、汽车电子、消费电子和电源转换等领域得到了广泛应用。

2. 基本参数

• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id @ 25°C）：60A（Tc）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3.6V @ 250uA
• 漏源导通电阻（Rds On）：2.8mΩ @ 15A, 10V
• 最大功率耗散（Ta=25°C）：69.4W（Tc）

该MOSFET在高电流和高电压的情况下表现出色，能够满足严苛的电气需求，尤其在功率转换和分配场合中表现突出。

3. 典型应用

SIR182DP-T1-RE3适用于多种不同的应用场景，包括但不限于：

• DC-DC转换器：经常用于开关电源（SMPS)以提高转换效率。
• 电机驱动：可作为电机控制电路中的主要开关元件。
• 负载开关：可用于电子设备的开关电源管理。
• 电源管理IC：作为电源调节器的输出驱动MOSFET，提升整体性能。

4. 特性分析

• 高导通电流：连续漏极电流可达到60A，适合高负载的应用环境。
• 低导通电阻：其导通电阻仅为2.8mΩ，这意味着在高负载下也会产生较低的功耗，显著提升系统的效率。
• 广泛的工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种极端环境，也保证了产品的长期稳定性和可靠性。
• 高耐压能力：漏源电压高达60V，使得SIR182DP-T1-RE3能够应用于高电压的场合，同时保证安全性。
• 表面贴装封装：采用PowerPAK® SO-8封装，既保证了良好的电气性能，也方便在现代电子电路板中进行安装和集成。

5. 驱动要求与栅极特性

SIR182DP-T1-RE3具有明显的栅极驱动特性，其中：

• 最大驱动电压范围为±20V，能够兼容多种控制电路。
• 栅极电荷（Qg）为64nC @ 10V，表明该器件在快速开关应用中能够实现低的控制功耗。

6. 安全性与可靠性

该元器件符合严格的生产标准，保证了其在各种工作条件下的稳定性及安全性。Vishay作为行业内的知名品牌，实施严格的质控流程，确保每一颗出厂的产品都符合标准。

7. 结论

综上所述，SIR182DP-T1-RE3是一款高性能的N沟道MOSFET，结合低导通电阻、高功率能力和广泛的工作温度范围，使其成为电源管理和转换应用的理想选择。凭借Vishay的品牌信誉和优质的产品设计，SIR182DP-T1-RE3必将为电子设计师提供更多的设计灵活性和解决方案。无论在工业还是汽车应用中，这款MOSFET都将大大提升系统性能和可靠性。