SI7625DN-T1-GE3

产品概述：SI7625DN-T1-GE3

一、基础介绍

SI7625DN-T1-GE3 是由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的一款高性能 P 通道 MOSFET （金属氧化物场效应晶体管），封装形式为 PowerPAK® 1212-8。该器件的设计旨在提供卓越的电流和电压处理能力，适合各种高效能开关电源、电机驱动以及其他需要高线性度和高效率的应用场景。

二、关键参数

1. 导通电阻（Rds On）:

   • 最大RON为7毫欧，常用于 15A、10V 条件下。这一低导通电阻特性使得该 MOSFET 在高电流应用中表现出极低的功耗损耗，从而提高应用系统的整体能效。

2. 电流承载能力:

   • 支持的最大连续漏极电流为35A（在 Tc 条件下）。这使得 SI7625DN-T1-GE3 能够轻松满足高负载应用的需求。

3. 工作电压:

   • 漏源电压（Vdss）为30V，适合中等电压应用。该特点使得 MOSFET 在许多电子电路中都有广泛的适配性。

4. 驱动电压:

   • 该器件的驱动电压可在4.5V到10V之间操作，能够实现最佳的开关响应和电流传输效率。

5. 输入电容与栅极电荷:

   • 最大输入电容Ciss为4427pF，在15V条件下表现良好；栅极电荷Qg为126nC（在10V条件下）。这些特点使得 SI7625DN-T1-GE3 在高频转换率和快速开关应用中表现优秀。

6. 热性能:

   • 生命周期最大功率耗散为3.7W（在室温Ta下），而在温度控制下可以支持高达52W的功率耗散。这保证了产品在高负载运行时的稳定性与安全性。

7. 工作温度范围:

   • SI7625DN-T1-GE3 可在-55°C至150°C的宽工作温度范围内正常工作，使其在各种严苛环境中均适用。

8. 门源电压阈值（Vgs(th)）:

   • 最大栅源电压阈值为2.5V（在250µA条件下），此特性确保器件能够在较低的栅电压下实现导通。

三、应用场景

SI7625DN-T1-GE3 是用于开关电源、电池管理系统、替代继电器的高效能开关元件的理想选择。其特有的 P 通道设计使它在低侧开关应用中更加适用，尤其适合需要高效能切换和低待机功耗的场合，包括但不限于：

1. 电池供电设备: 其低功耗特性使得在电池供电的装置中能有效延长电池寿命。
2. 电动工具: 可用于电机驱动，提高工作效率并降低散热。
3. 家电控制系统: 在家用电器的电源管理中，用于高效开关和转换。

四、总结

SI7625DN-T1-GE3 是一款性能卓越且应用广泛的 P 通道 MOSFET。凭借出色的导通电阻、宽泛的工作温度范围和高电流承载能力，VISHAY 在这一产品上展示了其与时俱进的技术研发能力。它将成为现代电源系统和负载驱动方案中不可或缺的关键元件。