描述：MOSFET RECOMMENDED ALT SI34
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产品参数
属性参数值
封装/外壳SOT-23-6细型，TSOT-23-6
FET类型N沟道
漏源极电压（Vdss）30V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）28 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）19.6nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）735pF @ 15V
功率耗散（最大值）2.1W（Ta），2.98W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装6-TSOP
产品概述：SI3424BDV-T1-E3 MOSFET
一、产品简介
SI3424BDV-T1-E3是一款由Vishay（威世）公司制造的高性能N沟道MOSFET，采用SOT-23-6细型封装，专为表面贴装（SMT）应用而设计。这款MOSFET适用于多种电子电路中，特别是在电源管理、开关电源和电机驱动等领域，具有出色的开关性能和可靠性。
二、主要参数
- 封装/外壳：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
- 类型：N沟道MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss)：最大耐压为30V，适合低电压应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，最大连续漏极电流达8A，提供强大的电流输出能力。
- 驱动电压：额定最大Rds On情况下，驱动电压为4.5V和10V。
- 导通电阻 (Rds On)：在不同的漏极电流和栅极驱动电压下，最大导通电阻为28毫欧@7A和10V，显示出其良好的导电性。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为3V@250µA，使得MOSFET能够在较低的栅极电压下开启。
- 栅极电荷 (Qg)：在10V驱动情况下，最大栅极电荷为19.6nC，能够快速响应开关。
- 输入电容 (Ciss)：最大输入电容为735pF@15V，确保了高频开关性能。
- 功率耗散：最大功率耗散为2.1W（环境温度）和2.98W（芯片温度），能够有效管理热量。
- 工作温度范围：广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，适用于各种极端环境。
- 栅源电压 (Vgs)：最大值为±20V，增强了器件的稳定性和保护能力。
三、应用场景
SI3424BDV-T1-E3 MOSFET非常适合用于以下应用：
- 开关电源（SMPS）：凭借其低导通损耗和高开关频率能力，这款MOSFET能够有效提高电源转换效率。
- 电机驱动：在各类电机控制应用中，可以准确控制电机的起始、停止和速度调节。
- 电源管理：它常用于电源分配、负载开关和电源调节的应用场合，能够实现高效的电力传输。
- LED驱动：由于其快速开关特性和高电流承载能力，适用于LED照明控制和驱动电路。
- 电池管理系统：作为电池监控和充电管理电路中的开关元件，提供了可靠的性能和稳定性。
四、总结
SI3424BDV-T1-E3 N沟道MOSFET在设计上强调高效率和高性能，适合各种现代电子产品和系统。其小巧的SOT-23-6细型封装增强了空间的利用，同时其优异的电气性能确保了设备的稳定性与有效能量管理。凭借Vishay在电子元器件领域的品牌声誉，SI3424BDV-T1-E3是设计工程师在选择高性能MOSFET时的理想选择。对于需要在低压条件下提供高电流和高热稳定性的应用项目，SI3424BDV-T1-E3无疑是一个值得信赖的解决方案。