SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3产品概述

1. 产品简介

SI2308BDS-T1-GE3 是一款来自VISHAY（威世）的高性能N沟道MOSFET（场效应管），适用于多种电子应用。该器件采用SOT-23-3（TO-236）封装，具有出色的热性能和高效的开关特性，提供了卓越的电源管理能力。凭借其最大漏源电压（Vdss）为60V和连续漏极电流（Id）为2.3A的能力，该MOSFET非常适合用于高压及中等电流的电源转换、电机驱动和信号开关等应用。

2. 主要特性

• 漏源电压（Vdss）: 60V，这使得SI2308BDS-T1-GE3能够处理高电压应用中常见的电压波动。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C时达到2.3A，保证了在不同工作条件下稳定的电流输出。
• 导通电阻（Rds On）: 在1.9A和10V下为156毫欧，低导通电阻显著减少了器件的能量损耗，提升了电源效率。
• 驱动电压范围: 最小（Rds On）：4.5V，最大（Rds On）：10V，计算灵活的驱动电压选项便于集成电路设计。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3V @ 250µA，可在较低的栅源电压下实现导通，适合低功耗应用。
• 栅极电荷（Qg）: 在10V下为6.8nC，提供快速开关特性，适应高频应用要求。
• 额定功率耗散: 在25°C下最大为1.09W，温升情况下可达到1.66W，适合各种工作环境。
• 工作温度范围: 从-55°C到150°C（TJ），保证了该器件在极端环境下的可靠性。
• 高输入电容（Ciss）: 190pF @ 30V的输入电容减少了在高速切换时的驱动负载。

3. 封装与安装

SI2308BDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装类型，这是一个设计紧凑、适合表面贴装（SMD）技术的封装，能够在空间限制严苛的应用中进行有效的布局。该封装形式具有良好的散热性能，能够提高器件的工作效率，尤其适合移动设备、便携式应用及其他对空间敏感的电子设备。

4. 应用领域

SI2308BDS-T1-GE3具有广泛的应用潜力，包括但不限于：

• 电源管理: 作为DC-DC转换器的开关元件，提升转换效率。
• 电机控制: 用于驱动直流电机及步进电机的高效控制。
• 信号开关: 在开关电源、延迟电源和其他逻辑电路中作为开关。
• LED驱动: 可以用作LED照明控制中的开关元件，实现柔性调光功能。

5. 结论

综合来看，SI2308BDS-T1-GE3是一款具备高可靠性和优良性能的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电压处理能力和广泛的温度适应性，使其成为各种电源管理、驱动及开关应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子，还是工业控制领域，SI2308BDS-T1-GE3都能为设计师提供优越的性能与灵活性。