描述：场效应管(MOSFET) 1W；2.3W 30V 2.7A 1个P沟道 SOT-23(TO-236)
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200+
0.367
1500+
0.32
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,1.9A
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)155pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)25pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
SI2303CDS-T1-GE3 产品概述
一、产品概述
SI2303CDS-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司推出的高性能P沟道MOSFET，能够在中低电压应用中提供优异的开关效率和高可靠性。该器件采用SOT-23-3（TO-236）封装，这种紧凑的表面贴装设计使得其适用于空间有限的电子设备。其主要参数包括漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）为2.7A，并具备低导通电阻（Rds(on)）的特点，适合用于各种需求包括电源管理、开关电源和负载开关等场合。
二、主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 最大达到30V，适用于低到中等电压的应用场景。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下能够提供高达2.7A的连续电流，支持较大的负载驱动。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 为3V @ 250µA，使其在较小的栅电压下便可以开启，有效降低功耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大为190mΩ @ 1.9A, 10V，确保在导通时降低能量损耗，提高系统效率。
- 最大功率耗散: 1W（Ta=25°C），在更高的结温条件下可达到2.3W（Tc）。这使得MOSFET在高负载条件下得以稳定运行。
- 工作温度范围: -55°C至150°C，广泛适应不同的环境条件，增强了其在工业和汽车电子等领域的可靠性。
三、应用场景
SI2303CDS-T1-GE3广泛适用于以下领域：
- 电源管理: 在DC-DC转换器和线性稳压器中，能够有效提升电源效率。
- 开关电源: 由于其快速的开关特性，该MOSFET特别适合用于高频开关损耗低的设计。
- 负载开关: 可作为开关元件用于驱动电机、灯光等负载，控制电源的切换。
- 电动车与充电设备: 在电池管理和充电电路中提供高效的功率转换。
四、设计注意事项
在设计中使用SI2303CDS-T1-GE3时，设计工程师应注意以下几点：
- 散热设计: 在高负载情况下，确保有足够的散热措施，以防止器件温度超出工作范围。
- 驱动电压选择: 栅极驱动电压应根据具体的应用需求进行选择，确保MOSFET的导通状态下能提供足够的电流。
- 电源设计: 考虑电源电压和电流的稳定性，避免因电流剧增导致的瞬时损失。
五、总结
SI2303CDS-T1-GE3是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和适应广泛工作环境的能力，在现代电子设计中具有重要的应用价值。无论是电源管理、开关电源还是负载开关，均能提供良好的性能，为相关电子产品的设计与开发提供强有力的支持。选择SI2303CDS-T1-GE3，意味着选择了高效率与高可靠性的保证。