描述：表面贴装型-P-通道-8V-860mA（Ta）-290mW（Ta）-SC-70-3
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产品参数
属性参数值
封装/外壳SC-70，SOT-323
FET类型P沟道
漏源极电压（Vdss）8V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)860mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）280 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）450mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）4nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±8V
功率耗散（最大值）290mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装SC-70-3
SI1305DL-T1-E3 产品概述
1. 产品简介
SI1305DL-T1-E3 是由威世 (VISHAY) 生产的一款高性能、低功耗的 P 通道 MOSFET，具有一系列优良的电气特性，适用于各种表面贴装应用。这种器件采用 SC-70-3 封装，旨在满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。产品设计可以广泛应用于开关电源、负载开关、信号开关、以及其他需要高效能和高可靠性的电路设计中。
2. 关键参数
- 封装类型: SC-70，SOT-323
- FET 类型: P 无极（P 通道）
- 漏源极电压 (Vdss): 8V
- 连续漏极电流 (Id): 860mA（在 25°C 时）
- 导通电阻 (Rds On): 在 1A 和 4.5V 时最大值为 280 毫欧
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 450mV @ 250µA（最小）
- 驱动电压: 1.8V 至 4.5V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 4nC @ 4.5V
- 功率耗散 (Pd): 最大值 290mW（在 25°C 时）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
3. 应用领域
SI1305DL-T1-E3 主要应用于以下领域：
- 开关电源：由于其低导通电阻和高效的电流传导能力，该 MOSFET 可在开关电源中作为高侧或低侧开关使用。
- 便携式设备：在电池驱动的设备中使用，能有效降低功耗，提高电池寿命。
- 信号开关：适用于现代通信和数据传输设备中的信号路径切换。
- LED 驱动：在 LED 照明和显示应用中，用于控制开关或调光电路。
4. 产品优势
- 高效率: 低导通电阻保证了在工作时的低功耗，从而提升了系统的整体效率。
- 高温稳定性: 宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适应广泛的工业和消费应用环境。
- 小尺寸封装: SC-70 封装具有小体积，可以在空间受限的应用中使用，使得设计更加灵活。
- 优秀的控制特性: 低阈值电压 (Vgs(th)) 能够使该 MOSFET 在较低的栅极驱动电压下开启，适应多种控制电路。
5. 典型电气特性
在典型的应用场景中，SI1305DL-T1-E3 的电性能可通过下表进行概述（注：所有参数依据 datasheet 具体情况而定）：
- 最大漏源极电压: 8V，适合低电压应用。
- 连续漏极电流: 860mA，能够满足许多常见负载需求。
- 导通电阻: 在高电流应用下仍保持低导通电阻，有助于减少能量损耗。
6. 结论
SI1305DL-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计，成为了现代电子设备设计中不可或缺的组件。在低功耗、高效率和小型化的市场需求下，SI1305DL-T1-E3 有望在未来的各类电路中发挥更大的作用，为设计师提供更多的设计灵活性和可靠性。
如果您正在寻找一款适用于各种表面贴装应用的高效 P 通道 MOSFET，SI1305DL-T1-E3 无疑是值得考虑的理想选择。