RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB 产品概述

1. 产品简介

RQ3E120ATTB是一款高性能的P沟道功率MOSFET，专为需要高效能和可靠性的电力转换及开关应用而设计。该器件由知名品牌ROHM（罗姆）制造，采用表面贴装型（SMD）8-HSMT封装，尺寸为3.2x3.0 mm，适用于空间受限的电路设计。其优异的电气特性使其在电源管理、电机驱动及各种消费电子产品中的应用表现出色。

2. 电气特性

• 漏源电压（Vdss）：RQ3E120ATTB的最大漏源电压为30V，使其适合低至中等电压的应用。
• 连续漏极电流（Id）：该器件在室温（25°C）下可承受高达39A的连续漏极电流，确保在负载变化时的稳定性和可靠性。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：其栅源极阈值电压为2.5V @ 1mA，提供了良好的开关控制特性，适合与低电压控制电路配合使用。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在12A和4.5V的条件下，最大导通电阻为11.3mΩ，这一极低的导通电阻显著降低了功耗，提升了效率。
• 功率耗散：该器件的最大功率耗散为20W（在25°C环境温度下），为各种应用提供了良好的热管理能力。

3. 驱动与开关特性

RQ3E120ATTB支持多种驱动电压，以实现最佳性能。驱动电压在4.5V和10V时达到最大Rds(on)，使其在高负载条件下运行更加高效。在动态响应方面，栅极电荷（Qg）为62nC @ 10V，表示其开关速度快，适合高频应用。

4. 温度与功率特性

该器件的工作温度范围高达150°C（TJ），在高温环境中仍能稳定工作，非常适合苛刻的工业和汽车应用。它的热管理能力得益于良好的功率耗散设计，使其在各种工作条件下都保持可靠性。

5. 应用场景

RQ3E120ATTB非常适用于以下应用场景：

• 电源管理：在DC-DC转换器和直流电源中，作为开关元件实现高效能的电源调节。
• 电机驱动：用于电机驱动电路中，提供高效的开关控制，提升电机驱动的效果。
• 消费电子产品：适合用于各种消费电子产品，如电池管理系统、音响功放等，对开关损耗要求严格的场合。
• 汽车领域：可用于汽车电子系统，如电池管理和电机控制，保证在严苛环境下的可靠性。

6. 封装与安装

RQ3E120ATTB采用8-PowerVDFN封装设计，特点是小型化和高热散能力，适合在紧凑型设计中使用。其表面贴装型设计简化了PCB安装过程，便于自动化生产，提高了整体组装效率。

7. 总结

RQ3E120ATTB是一款性能卓越的P沟道MOSFET，其低导通电阻、高漏电流和出色的热管理能力，适合多种电力转换和控制应用。作为ROHM（罗姆）品牌的一员，RQ3E120ATTB确保了高质量标准和稳定的性能，为设计工程师在现代电子产品开发中提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、电子消费品还是工业自动化中，它都将是一个值得信赖的选择。