描述：表面贴装型-N-通道-25V-100A（Tc）-179W（Tc）-LFPAK56-Power-SO8
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产品参数
属性参数值
FET配置（电路类型）N沟道
漏极电流（Id, 连续）100A（Tc）
阈值电压Vgs(th)1.95V@1mA
封装/外壳SC-100，SOT-669
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.3 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）66nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4173pF @ 12V
功率耗散（最大值）179W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装LFPAK56，Power-SO8
PSMN1R2-25YLC,115 产品概述
PSMN1R2-25YLC,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计目标是能够在要求严格的高功率和高效率的应用中提供卓越的性能。这款产品具有多种优良的电气特性和可靠的运行环境，为各种现代电子设备提供了理想的解决方案。
基本参数
- FET配置：N沟道
- 漏极电流（Id, 连续）：最大值为100A（Tc），适合高功率应用。
- 阈值电压（Vgs(th)）：在1mA电流情况下为1.95V，为驱动电路提供了合适的控制电压。
- 封装类型：提供SC-100，SOT-669，LFPAK56，以及Power-SO8等多个封装形式，方便不同的应用需求。
- 漏源电压（Vdss）：可耐受最大25V的漏源电压，非常适合低压应用。
- 驱动电压：此MOSFET支持4.5V和10V的驱动电压，确保在不同应用条件下均能达到最佳性能。
- 导通电阻：在10V和25A时，最大导通电阻为1.3毫欧，提供了极低的导通损耗，提升了能效。
- 栅极电荷（Qg）：在10V条件下，栅极电荷为66nC，降低了驱动电路的功耗并提高了开关速度。
- 输入电容（Ciss）：最大值为4173pF（12V），保障了MOSFET在高速开关操作中的稳定性。
- 功率耗散：最大功率耗散能力为179W（Tc），适合高功率电路应用。
- 工作温度范围：-55°C至175°C的广泛工作温度范围，允许在严酷环境下运行。
- 安装类型：表面贴装型，适合自动化焊接工艺，便于批量生产。
应用场景
PSMN1R2-25YLC,115 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在高效电源转换器和稳压器中，能够有效降低功耗，提高系统的整体效率。
- 电机驱动：作为电机控制系统中的开关元件，为电动机提供平稳的运行状态，确保高效传动。
- 汽车电子：在汽车电源系统及电动汽车中的应用，帮助实现更高的能量转化率与更低的发热问题。
- 消费电子：在笔记本电脑、电视以及家用电器等设备中提高能效，延长产品使用寿命。
总结
PSMN1R2-25YLC,115是一款极具竞争力的N沟道MOSFET元件，凭借极低的导通电阻、优秀的功率承载能力以及广泛的工作温度范围，使其成为高效能电子解决方案的最佳选择。无论是在电源管理、电机控制还是汽车电子等领域，该MOSFET均能发挥出色的性能，满足现代电子产品对高效率和高可靠性的需求。Nexperia通过这一产品在技术创新与可靠性方面又一次展现了其行业领导地位，是设计工程师和制造商值得信赖的合作伙伴。