描述：MOSFET-阵列-2-个-P-沟道（双）-20V-1.04W-表面贴装型-8-MSOP
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.9
100+
5.85
产品参数
属性参数值
封装/外壳8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm宽）
FET类型2个P沟道（双）
漏源极电压（Vdss）20V
安装类型表面贴装(SMT)
FET 类型2 个 P 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）5.25nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）290pF @ 15V
功率 - 最大值1.04W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装8-MSOP
ZXMD63P02XTA 产品概述
一、产品简介
ZXMD63P02XTA是一款高性能的双通道P沟道MOSFET，特别设计用于在电子电路中提供高效的电源管理与信号开关。该器件采用8-MSOP表面贴装封装，使其在空间有限的应用场景中具备优良的适应性。它的高导通能力和低导通电阻使其成为多种电源管理应用的理想选择。
二、结构与特性
封装与尺寸
ZXMD63P02XTA采用8-TSSOP和8-MSOP封装，具有0.118英寸（3.00mm宽）的紧凑设计，优化了PCB布局，对于空间有限的设计尤为重要。FET类型与配置
该器件提供两个P沟道FET，均为逻辑电平门，这使得它能够以较低的栅极电压进行驱动，适合直接与低电压微控制器或数字电路接口。电气参数
- 漏源极电压（Vdss）：20V，意味着它能够处理中等电压的应用，同时提供良好的安全裕度。
- 导通电阻：在1.2A、4.5V条件下，最大导通电阻为270毫欧，表明在高电流条件下依然能够保持低的功耗表现。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：700mV @ 250µA，这使得ZXMD63P02XTA能够在低电平信号下可靠开关，提高了整体电路的响应速度。
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V下，最大值为5.25nC，说明其在驱动时所需的栅极功耗相对较低，适合高频开关应用。
- 输入电容（Ciss）：在15V、290pF下提供的值有助于降低驱动器件所需的动态功耗。
- 功率处理能力：最大功率为1.04W，表明其在散热方面有良好的性能。
工作温度范围
ZXMD63P02XTA具有广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，确保在极端环境下的可靠性。这使得它特别适用于航空航天、汽车和工业应用等需要耐高温或低温的场合。
三、应用领域
ZXMD63P02XTA的设计特点使其适合多种应用，包括但不限于：
- 电源管理：用于电源开关、DC-DC转换器中的高效开关元件，以减少功耗并提高运行效率。
- 电池管理系统：特别是在可再生能源系统中的电池监测与管理解决方案。
- 便携式设备：其紧凑的封装和低功耗特性使其理想用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备。
- 汽车电子：适合在汽车系统中的电源分配和控制应用，帮助提高系统的安全性和效率。
- 工业控制：在各种工业自动化设备中，用作高效的开关元件以控制电机和负载。
四、总结
ZXMD63P02XTA是一款多功能的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装设计，为电源管理及开关应用提供了极大的灵活性和可靠性。无论是在高温环境下还是在低电压驱动下，该产品都展现出良好的性能，为电子设计工程师提供了强有力的解决方案。选择ZXMD63P02XTA，不仅能提升系统的整体效率，更能延长设备的使用寿命，为现代电子产品的发展提供强大的助推力。