型号:

ZXM61P03FTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:24+
包装:编带
重量:0.028g
其他:
ZXM61P03FTA 产品实物图片
ZXM61P03FTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 625mW 30V 1.1A 1个P沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)350mΩ@10V,0.6A
功率(Pd)625mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)140pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)20pF
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:ZXM61P03FTA P沟道MOSFET

一、基本信息

ZXM61P03FTA是一款由DIODES(美台)公司制造的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为需要高效电源管理和开关应用设计。该器件具有低导通电阻和良好的热性能,使其在工作电流和电压条件下表现出色,非常适合用于各种电子应用中。

二、技术参数

ZXM61P03FTA的主要技术参数如下:

  • 漏源电压(Vdss):30V,适合较高电压的应用。
  • 连续漏极电流(Id,25°C时):1.1A,提供适度的承载能力。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):最大1V @ 250µA,适合低电压开关。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):350mΩ @ 600mA,10V,确保在导通状态下能够实现低损耗。
  • 购买最大功率耗散:625mW(Ta=25°C),能够在适当的散热条件下工作。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,体现出该器件的环境适应能力。
  • 栅极电荷(Qg):最大4.8nC @ 10V,表明其驱动能力良好,适合快速开关应用。
  • 输入电容(Ciss):最大140pF @ 25V,表示输入特性良好。

三、封装及安装

ZXM61P03FTA采用SOT-23三脚封装,具有优良的散热性能和热封装效率,适合表面贴装(SMD)技术。该封装方式使得产品在空间受限或要求高密度布局的电路中,依然保持良好的可靠性。

四、应用领域

ZXM61P03FTA广泛应用于:

  • 电源管理:由于其低导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于降压转换器、负载开关等电源管理电路。
  • 开关电路:可用于控制和切换各种电子负载,特别是在电机驱动和智能功率模块中。
  • 功率放大器:在音频放大器等应用中,能够提高系统的整体效率和功率输出。
  • 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备中应用,能够实现高效的电源开关和管理,延长电池使用寿命。

五、优点与短缺

ZXM61P03FTA具有多个优点:

  • 高效率:低导通电阻确保最低功耗,提升系统整体效率。
  • 宽温范围:工作温度范围广,为设备在恶劣环境下的稳定运行提供保障。
  • 小体积:SOT-23封装使其在空间紧凑的设备中应用广泛。

然其也有所局限:

  • 电流限制:在高功率应用中,需注意连续漏极电流的限制。
  • 热管理:在高环境温度或重载条件下,需要有效的热管理措施。

六、总结

综上所述,ZXM61P03FTA是一款性能优异的P沟道MOSFET,提供了低导通电阻和良好的电气特性,适用于多种高效电源管理和开关应用。其高效的能量转换能力及宽适应温度范围,使其成为电子设计师和工程师在开发电源管理、电池管理和开关电路时的理想选择。选择ZXM61P03FTA,将为您的设计带来更多的灵活性和可靠性。