型号:

MMBT4403T-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT523
批次:24+
包装:编带
重量:1g
其他:
MMBT4403T-7-F 产品实物图片
MMBT4403T-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 150mW 40V 600mA PNP SOT-523
库存数量
库存:
6085
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.209
3000+
0.185
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,1.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)400mV@150mA,15mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:MMBT4403T-7-F PNP 三极管

1. 引言

MMBT4403T-7-F 是一款高性能的 NPN 型小信号晶体管,专为各种电子电路应用设计,诸如开关电源和模拟信号处理。凭借其出色的电气特性、极宽的工作温度范围及紧凑的 SOT-523 封装,使其成为现代电子设备中的理想选择。

2. 关键参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 600 mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40 V
  • 功率耗散 (Ptot): 150 mW
  • 频率 – 跃迁 (fT): 200 MHz
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  • Vce 饱和压降: 750 mV @ 50 mA、500 mA
  • 最小 DC 电流增益 (hFE): 100 @ 150 mA、2 V
  • 封装: SOT-523

3. 结构与工作原理

MMBT4403T-7-F 采用经典的 PNP 结构,晶体管中的三个半导体区域分别为发射极、基极和集电极。在电气特性上,当基极受到正电压驱动时,穿透发射极的电子会被基极吸引,并在集电极和发射极之间形成电流。这一特性使得三极管可以被广泛用于信号放大和开关应用。

4. 电气性能分析

在该产品的应用中,最高集电极电流为 600 mA,意味着其能够在短时间内处理查询量较大的电子信号,而不会造成电压降。对于总功率的限制(150 mW),它为设计工程师提供了灵活性,同时仍能确保电路在高效能模式下工作。

通过其低饱和压降(750 mV @ 500 mA),MMBT4403T-7-F 能够在高负载条件下有效降低损耗,提高系统的总效率。这一设计保证了在高负载下的低发热,延长了器件和电路的使用寿命。

5. 工作环境与可靠性

该三极管的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,意味着它可以被用于从极寒到极热的各种极端环境,使其在汽车电子、工业控制及航天设备中都有很高的适用性。在这种广泛的温度范围内,MMBT4403T-7-F 能保证稳定的性能输出,有效避免因环境变化带来的电路失效。

6. 应用领域

由于其良好的电气性能及宽广的温度范围,MMBT4403T-7-F 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  • 开关电源: 在电源开关电路中起到信号放大作用,或作为开关控制元件。
  • 线性放大电路: 在音频处理、信号调制等应用中进行信号放大。
  • 汽车电子: 能够适应苛刻的工作环境,确保汽车系统的稳定性与可靠性。
  • 消费电子设备: 在手机、平板、计算机等电子产品的信号路由器和放大器中被广泛使用。

7. 总结

MMBT4403T-7-F 是一种功能强大、性能稳定的小信号 PNP 晶体管,其出色的电气特性和宽广的应用领域使其成为当今电子产品设计的首选元件之一。通过深入了解其关键参数及应用优势,工程师可以有效地将其集成到各类电路中,提高产品性能并确保系统稳定性。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制设备中,MMBT4403T-7-F 的表现都将超出预期,解决现代高科技产品中的各种挑战。