型号:

AOD444

品牌:AOS
封装:TO-252-3
批次:2年内
包装:编带
重量:0.483g
其他:
AOD444 产品实物图片
AOD444 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W;20W 60V 4A;12A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存数量
库存:
982
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.954
2500+
0.899
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A;12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)60mΩ@10V,12A
功率(Pd)2.1W;20W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)540pF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

AOD444 产品概述

概述

AOD444 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气性能和可靠性,适用于各种高频、高效率的开关应用。凭借其提供的最高漏源电压(Vdss)可达 60V,最大连续漏极电流(Id)为 4A,AOD444 特别适合消费电子产品、电源管理、电机驱动等多个领域。

主要特点

  1. 漏源电压 (Vdss) 高达 60V: 这一特性使得 AOD444 能够在高电压应用中稳定运行,适合需要一定电压绝缘的应用场景;

  2. 连续漏极电流 (Id) 4A: 在 25°C 环境温度下,AOD444 能够提供高达 4A 的连续漏极电流。这一性能使该元器件能够满足大多数中快速开关应用的要求。

  3. 栅源极阈值电压: AOD444 的栅源极阈值电压为 3V @ 250uA,此值的设计确保了在较低电压驱动下,MOSFET 可以快速开启,从而提高整体电路的响应速度。

  4. 漏源导通电阻: 在 12A 和 10V 的条件下,AOD444 显示出较低的漏源导通电阻为 60mΩ。这一特性可显著降低开关损耗,提高能效,尤其在高负载条件下更是如此。

  5. 功率耗散能力: 最大功率耗散能达到 2.1W (在 25°C 环境温度下),确保 AOD444 可以在较高功率负载下稳定运行,而不会因过热而导致关断。

  6. 放置封装: AOD444 采用 TO-252 (DPAK) 封装,这种封装不仅具备良好的散热性能,还能有效节省电路板空间,方便在紧凑型设计中的应用。

应用场景

由于其优异的性能,AOD444 在众多应用场景中拥有广泛的适用性,包括但不限于以下领域:

  • 开关电源: 在电源管理中,AOD444 可以被应用于 DC-DC 转换器和其它高频开关电源中,以实现高效的能量转换。

  • 电机驱动: 由于其较高的电流承载能力和低导通电阻,AOD444 适合用于负载驱动,如直流电机驱动和步进电机控制,确保平稳的控制性能。

  • 快速开关电路: 在高频开关应用中,如射频放大器和信号调制器,AOD444 的高速开关特性能够保障信号质量与传输效率。

  • 节能设备: AOD444 的低功耗特性使其在电池供电的设备中非常受欢迎,广泛应用于消费电子产品,如智能手机、笔记本电脑和家用电器,以延长电池使用时间。

总结

整体而言,AOD444 是一款性能优异、高度可靠的 N 沟道 MOSFET,凭借其多种卓越特性,如高漏源电压、高连续电流、低导通电阻等,使其成为开关电源、电机驱动和快速开关电路等应用的理想选择。无论是在高电压场合还是高功率负载环境中,其适用性与高效能都能满足各种需求,在未来的电子设备设计中,会继续发挥不可或缺的作用。