型号:

AOB470L

品牌:AOS
封装:TO263
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其他:
AOB470L 产品实物图片
AOB470L 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W;268W 75V 100A;10A 1个N沟道 TO-263(D2PAK)
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.59
800+
1.47
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)100A;10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10.2mΩ@30A,10V
功率(Pd)2.1W;268W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)136nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)5.64nF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)250pF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

AOB470L 产品概述

概述

AOB470L是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),其主要应用于高效能电源管理和开关电路。将这种元器件集成于电路中,可以有效地降低功耗,提高系统的整体效率。该产品采用TO-263-3封装,具备优良的散热性能,适合各种表面贴装(SMT)应用。

基本参数

  • FET类型: N沟道
  • 漏源极电压(Vdss): 75V
  • 最大漏电流 (Id): 100A(极限值),同时在某些应用情况下可稳定工作在较高电流下。
  • 额定功耗: 268W(在适当的散热条件下)
  • 封装类型: TO-263-3,兼容D²Pak(2引线+接片)封装
  • 安装类型: 表面贴装(SMT)

该器件的优越性能使其在多个领域广泛应用,包括但不限于DC-DC转换器、电源管理集成电路(PMIC)、电动汽车、可再生能源系统及工业自动化等。

性能特点

  1. 高效能: AOB470L的高导通电阻(Rds(on))使其在开放状态下表现出较低的能量损耗,进而提高系统的总效率。这在电源适配器和电池供电设备中尤为重要。

  2. 热管理能力: TO-263封装有助于优化器件的散热,能够在高功率应用中保持器件温度在安全工作范围内。其较大的接片面积可与散热器直接接触,提高散热效果。

  3. 电流能力: 该器件的最大漏电流达到100A,能够承受高负载工作。因此,它非常适合用于功率转换和电气设备的驱动。

  4. 紧凑设计: TO-263-3的尺寸设计适合用于空间有限的应用,使得产品整个设计更加紧凑,有助于电路小型化和轻量化。

  5. 直接相容性: 作为表面贴装技术的产品,AOB470L能够方便地与自动化生产线相结合,降低组装成本,提高生产效率。

应用场景

AOB470L具备多种应用领域,主要包括:

  • 开关电源(SMPS): 在开关电源设计中,AOB470L能够实现高频高效率的功率转换,适用于各种消费电子产品和电源适配器。

  • 电动汽车(EV): 在电动车的动力系统内,功率逆变器和电机控制应用等领域,AOB470L凭借高电流承受能力为电动汽车提供高效、稳定的电流供应。

  • 可再生能源: 在太阳能发电和风能转换系统中,AOB470L广泛应用于逆变器和充电控制器中,帮助实现能源的优化管理。

  • 工业设备: 许多工业自动化设备中对电流和电压的高要求使得AOB470L成为理想选择,尤其在电机控制和驱动的设计中,更是不可或缺的组成部分。

结论

总的来说,AOB470L是一款高效、耐用的N沟道MOSFET,凭借其独特的电气性能和优质的散热设计,成为了现代电子设备中不可或缺的关键元件。其广泛的应用领域和良好的市场反馈,使得AOB470L在电子元器件行业中占据了一席之地。无论是在日常电子产品还是高端工业应用中,该MOSFET均能确保出色的性能表现和可靠性,为设计工程师提供了有力的支持。