描述：场效应管(MOSFET) 370mW 60V 380mA 1个N沟道 SOT-23
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0.16
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)380mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V
功率(Pd)370mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)300pC
输入电容(Ciss@Vds)50pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
2N7002KQ-7 产品概述
产品简介
2N7002KQ-7是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它具有较低的导通电阻和适中的漏源电压，适用于多种电子应用。该器件由美台（DIODES）公司出品，采用SOT-23封装，是现代电子设计中的理想选择，尤其在低功耗和高效能方面表现突出。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 380mA（在25°C时额定）
- 栅源极阈值电压: 2.5V @ 1mA
- 漏源导通电阻: 2Ω @ 500mA, 10V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 370mW
- 类型: N沟道
- 封装类型: SOT-23
产品特点
高效率: 2N7002KQ-7的低导通电阻（2Ω）使其在工作时具有较低的能量损耗，能够有效提高电路的整体效率。这在电源管理及开关电路中尤为重要，能显著降低热量产生，提高系统的可靠性。
宽电压范围: 该MOSFET的最大漏源电压高达60V，这使得其能够在多种工作环境中自由应用，适用于需求多样化的模电和数字电路设计。
出色的开关特性: 栅源阈值电压为2.5V，这使得该器件能够在仅有少量控制信号电压的情况下实现稳定的导通和关断，适合与微控制器和逻辑电平电路互联。
小型封装: SOT-23封装设计为其提供了紧凑的尺寸，在需要高密度布线或空间受限的应用中极为有利。此封装使其易于在PCB上布置，且配合自动化贴片设备（如SMT）进行生产。
广泛应用: 2N7002KQ-7能够在多种应用中发挥作用，包括开关电源、马达驱动、灯光调光、信号开关以及其他低功耗电子设备等。这体现了其通用性和适应性，使其成为现代电子电路中一种重要的选择。
应用场景
- 电源管理: 应用于开关电源中的功率转换与调节，提高系统的能效比。
- 马达控制: 在电动机驱动系统中，该MOSFET可用于实现高效的开关操作。
- 领导信号开关: 适用于需要通过低电压信号控制高电流的场合，如LED驱动和信号路由等。
- 过滤与信号处理: 由于其快速响应的特点，2N7002KQ-7可用于高频信号处理和条件反馈回路。
结论
2N7002KQ-7 N沟道MOSFET是一个性能与效率兼备的室内半导体元器件，其在广泛的电子设备中拥有极高的应用价值。凭借其低功耗、高导通电流的特点，它帮助设计人员在满足高性能要求的同时，优化电路的功率管理与热管理，最终实现设计目标。在当前快速发展的电子技术环境中，2N7002KQ-7无疑是值得考虑的高效率开关解决方案。