描述：场效应管(MOSFET) 310mW 60V 230mA 2个N沟道 SOT-363
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产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）230mA
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻7.5Ω @ 50mA,5V
最大功率耗散（Ta=25°C）310mW
类型双N沟道
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能标准
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)230mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）50pF @ 25V
功率 - 最大值310mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装SOT-363
产品概述：2N7002DWQ-7-F
一、产品简介
2N7002DWQ-7-F 是一款双 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由著名电子元器件供应商 DIODES（美台）生产。其设计充分满足现代电子设备对高效能、高可靠性的需求，主要应用于开关和放大电路，以及各种低功耗应用中。该器件采用 SOT-363 封装，适用于表面贴装（SMT）技术，让设计工程师能够在节省空间的同时，提升电路的整体性能。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 该器件具有 60V 的最大漏源电压能力，能够处理高电压应用场景，提供足够的安全余量。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，其连续漏极电流最大为 230mA，适合多种小功率负载驱动场景。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其门极栅电压阈值为 2V @ 250µA，适用于低电压驱动电路，降低控制电路的功耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 50mA、5V 的条件下，漏源导通电阻最大值为 7.5Ω，确保在开关操作时能提供理想的低损耗特性。
- 最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 310mW（环境温度 25°C），确保在运作过程中即使在高负载下也能保持稳定的工作状态。
- 工作温度范围: 其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，确保它能在恶劣环境下运行，满足航空航天、汽车和工业自动化等领域的需求。
三、应用领域
2N7002DWQ-7-F 的特性使其在多个领域中具有广泛的应用潜力，包括但不限于：
- 开关电源: 在低功耗开关电源中，该 MOSFET 可用作开关器件，有效提高系统效率。
- 信号放大: 适用于信号处理电路，为射频信号和音频信号等提供放大功能。
- 信号开关: 因其低电压和低电流控制特性，可用于各种信号调度和控制应用。
- 驱动电路: 可用于低功率电机驱动、中小功率LED驱动等。
四、封装与安装
该产品采用 SOT-363 封装，适用于表面贴装。此类封装体积小巧，能够有效节省电路板空间，使其成为紧凑型电子产品设计的理想选择。要求在设计时，需注意其装配过程中的热管理，确保其在长时间运行下的稳定性与可靠性。
五、总结
总体而言，2N7002DWQ-7-F 是一款优秀的双 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域，成为电子工程师设计电源管理、开关控制和信号处理电路时的首选器件。随着电子技术的不断进步，需求不断增加，此产品将继续在全球市场上占据重要地位。针对其特定的优势特点，诸如高电压能力、低功耗特性和宽工作温度范围，使其在未来的市场竞争中更具优势。