描述：场效应管(MOSFET) 83W；2.5W 150V 19A；3A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)19A；3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@10A,10V
功率(Pd)83W；2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.165nF@75V
反向传输电容(Crss@Vds)2.5pF@75V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
AOD256 产品概述
产品简介
AOD256 是一款高性能 N 沟道场效应管（MOSFET），采用 TO-252（DPAK）封装，专为要求高效率和高功率的应用场景而设计。这款元器件结合了良好的热性能与小型化的封装，适合用于各种电子设备中，尤其是在需要频繁开关的电源管理、DC-DC 转换器及马达驱动等领域。
基本规格
- FET 类型: N 沟道
- 漏源极电压 (Vdss): 150V
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 功耗: 83W
- 额定电流: 19A（最大），3A（典型）
- 封装类型: TO-252-3, DPAK
封装特点
TO-252 封装是一种表面贴装(SMT)解决方案，相较于传统的引线封装，具有更小的占板面积和更好的散热性能，适合用于高密度电路板设计。DPAK 的设计允许 MOSFET 在与电路产生更小的电感和电阻值，从而提高了开关速度与效率。
性能优势
AOD256 提供的高漏源极电压和额定电流能力，使其在逆变器、开关电源、和电机驱动等应用中表现卓越。其高功耗能力可确保设备在连续运行状态下维持稳定性，降低了过热的风险。
- 高效率: MOSFET 的结构允许其以较低的导通电阻（RDS(on)）进行高效的电源转换，反过来提高了设备的整体效率。
- 宽工作范围: 该器件的栅源电压为 ±20V，使得它可以在多种控制信号下稳定操作，适应性强。
- 散热能力: TO-252 封装的设计提高了散热能力，减少了工作过程中产生的热量，延长了产品的使用寿命。
应用领域
AOD256 是一种多用途的 N 沟道 MOSFET，适用于以下应用：
- 开关电源: 适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器，提供高效的电能转换。
- 电机控制: 可以用于控制直流电机和步进电机，确保高效可靠的驱动。
- 负载开关: 用于高功率负载控制，确保在需要时快速启停，提高系统的灵活性。
- LED 驱动: 在 LED 照明系统中作为开关装置，确保高效驱动与控制。
标准和合规性
AOD256 在其设计和制造过程中遵循国际电子行业的标准，确保其在性能可靠性方面达到国际认可的质量标准。这使得它不仅适用于消费电子，也能满足工业和汽车电子等严格的应用场合。
总结
AOD256 是一款结合高性能、高效率与小型化设计的 N 沟道 MOSFET，它在电源管理、电动机驱动和 LED 应用中表现卓越。凭借优秀的散热性能、宽广的工作电压范围及可靠的开关能力，使其成为多种电子设计的理想选择。AOD256 的推出，进一步推动了现代电子设备向着高效、可靠与紧凑的方向发展，满足了市场对高性能电子元件日益增长的需求。