型号:

AO6800L

品牌:AOS
封装:TSOP-6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
AO6800L 产品实物图片
AO6800L 一小时发货
描述:MOSFET-阵列-2-N-通道(双)-30V-3.4A(Ta)-1.15W-表面贴装型-6-TSOP
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.07
3000+
1.02
产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 3.4A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.4A(Ta)
FET 类型2 N-通道(双)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)235pF @ 15V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V
FET 功能标准
功率 - 最大值1.15W
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA

AO6800L 产品概述

产品名称:AO6800L
类型:N-通道MOSFET阵列
封装类型:TSOP-6
品牌:AOS

一、产品概述

AO6800L是一款高性能的N-通道MOSFET双阵列,主要应用于需要开关控制的电子电路中,如电源管理、LED驱动、马达控制以及高效电源转换等场合。其特殊设计使得在有限的占板面积下提供了优秀的电流控制能力及散热性能,是现代高效电子产品不可或缺的组件之一。

二、技术规格

  1. 安装类型:表面贴装型(SMD)

    AO6800L采用表面贴装封装,便于在自动化生产中应用,减少了焊接时间,提高了组装效率。

  2. 导通电阻(Rds(on)):

    在3.4A的电流和10V的栅源电压(Vgs)下,最大导通电阻为60毫欧。低导通电阻表明该MOSFET具有较低的功耗和较高的效率,非常适合对效率要求极高的应用。

  3. 连续漏极电流(Id):

    在环境温度为25°C的条件下,AO6800L可以持续承载高达3.4A的漏极电流,使其在多种应用中都能稳定运行,满足高负载的需求。

  4. 漏源电压(Vdss)

    该元件的漏源电压高达30V,适合低至中压应用。这使得它在电源转换和驱动高达30V的负载时表现尤为出色。

  5. 输入电容(Ciss):

    在15V的情况下,AO6800L的输入电容最大为235pF,较小的输入电容值使得开关速度快,特别适合于高频开关应用。

  6. 栅极电荷(Qg):

    最大栅极电荷为10nC(在10V下),较小的栅极电荷值确保快速开关特性,有助于提高系统的整体效率。

  7. 阈值电压(Vgs(th)):

    在250µA漏电流时,该MOSFET的最大阈值电压为1.5V。这一低阈值电压使得AO6800L能在较低的栅源电压下开启,具备良好的驱动灵活性。

  8. 工作温度范围

    AO6800L的工作温度范围从-55°C到150°C,使得其在极端环境下仍能稳定工作,满足各种工业及军事应用的需求。

  9. 最大功率

    AO6800L的最大功率为1.15W,能够在功率密度要求高的设计中提供稳定的性能,同时兼顾热管理需求。

三、应用场景

AO6800L的应用非常广泛,以下是一些具体应用场景:

  1. 电源管理: 作为DC-DC转换器中的开关元件,AO6800L能够提高转换效率,降低传输损耗,适合用于各类电源模块。

  2. LED驱动: 在LED灯光控制电路中,AO6800L可用于精确调节LED亮度,实现高效能及长寿命的照明解决方案。

  3. 马达驱动: 可用于控制小型电动机,如风扇、电动工具等,为其提供高效的控制方案。

  4. 通信设备: 在通信基站及网络设备中,AO6800L用于信号切换和放大,提升系统的可靠性和效率。

四、总结

AO6800L作为一款高性能N-通道MOSFET双阵列,其优秀的电气性能、稳定的工作范围及广泛的应用场景,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。AOS公司凭借多年的行业经验及技术积累,为客户提供高质量的MOSFET产品。无论是在电源管理还是其他各类应用中,AO6800L都能为设计师提供灵活可靠的解决方案。