型号:

AO4842

品牌:AOS
封装:SOIC-8L
批次:20+
包装:编带
重量:-
其他:
AO4842 产品实物图片
AO4842 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 22mΩ@7.5A,10V 30V 2个N沟道 SO-8
库存数量
库存:
2520
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.963
200+
0.74
1500+
0.644
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)29mΩ@4.5V,7.7A
功率(Pd)1.44W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)448pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)41pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

AO4842 产品概述

简介

AO4842 是一款高性能的 N 通道场效应管 (MOSFET),专门设计用于各种电子设备的开关和放大应用。它以其卓越的导通电阻、优异的开关特性和宽广的工作温度范围而受到电子设计工程师的青睐。该器件的典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动以及其他需要高效电源管理的电路。AO4842 的优化特性使其在高频、高效能和小型化设计中表现出色。

关键参数

  1. 安装类型:表面贴装型(SMD),具有高集成度,适用于现代紧凑型电路设计。
  2. 导通电阻(RDS(on)):在 7.5A 和 10V 时的最大值为 22 毫欧,保证了低功率损耗和高效能的电源管理。
  3. 漏源电压(Vdss):最大额定值为 30V,适合多种实际应用场景的电压要求。
  4. 输入电容 (Ciss):在 15V 时的最大值为 448pF,较低的输入电容帮助提高开关速度,降低开关损耗。
  5. 栅极电荷 (Qg):在 10V 下最大值仅为 11nC,体现了该器件的快速开关能力,适合高频应用。
  6. 阈值电压 (Vgs(th)):在 250µA 时的最大值为 2.6V,使其适配逻辑电平控制,方便直接与微控制器/逻辑电路结合。
  7. 工作温度范围:-55°C 至 150°C 的工作温度范围,适合苛刻的工作环境,确保产品在极端温度条件下也能稳定工作。
  8. 功率最大值:2W,适合多种功率调节及开关应用。

封装和品牌

AO4842 采用 SOIC-8L 封装,便于在有限空间内实现高密度的布局,同时又提供了出色的散热性能。来自 AOS(Advanced Semiconductor, Inc.)的产品通常质量可靠,拥有良好的市场声誉,适合工业、消费电子和汽车电子等多个领域的应用。

应用场景

  1. DC-DC 转换器:AO4842 可在电源转换应用中作为开关器件,配合电感和电容实现高效的电能转换。
  2. 电机驱动:适合于控制直流电动机的启停及调速,能够高效地处理负载变化。
  3. 负载开关:凭借其逻辑电平门特性,AO4842 可用作低压及中压自动化和控制系统中的负载开关。
  4. 电源管理:适合用于电源管理 IC,以优化功耗和提高系统效率。

结论

AO4842 是一款兼具高效能和高集成度的 N 通道 MOSFET,凭借其极低的导通电阻和快速开关能力,成为众多电子应用中的理想选择。无论是电源转换、电机控制,还是负载开关应用,AO4842 都能提供卓越的性能和稳定的工作状态,同时支持更高效的设计和更小的电路尺寸。对于工程师来说,这款器件不仅能够优化设计,还能够提高最终产品的性能和可靠性。