型号:

2N7002T-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT523
批次:2年内
包装:编带
重量:0.026g
其他:
2N7002T-7-F 产品实物图片
2N7002T-7-F 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-523
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.158
3000+
0.14
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@5V,0.05A
功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)22pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:2N7002T-7-F N沟道MOSFET

一、基本信息

2N7002T-7-F 是一款由DIODES公司生产的高性能N沟道MOSFET,采用SOT-523封装,适用于多种电子应用。这款器件以其低的导通电阻、高漏源电压和广泛的工作温度范围,成为了许多设计师在选择对小功率MOSFET时的优选。

二、技术规格

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 115mA(在25°C 的环境温度下)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 7.5Ω @ 50mA, 5V
  • 最大功率耗散(Pd): 150mW(在25°C环境下)
  • 驱动电压: 5V 至 10V
  • 输入电容(Ciss): 50pF @ 25V
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 封装类型: SOT-523

三、性能特点

  1. 高耐压: 该器件的漏源电压为60V,适用于多种低到中等电压的应用场合,如开关电源、马达控制和信号调理等。

  2. 低导通电阻: 在5V的驱动电压下,导通电阻(Rds(on))为7.5Ω,确保在工作时的能量损耗最低,这使其非常适合需要高效率的电路设计。

  3. 适应性广泛的工作温度: 该器件能够在-55°C到150°C的广泛温度范围内正常工作,增强了其在恶劣环境条件下的鲁棒性。

  4. 小型封装: SOT-523封装使得2N7002T-7-F在占用空间最小的同时,提供良好的热管理和电气性能,适合高密度PCB设计。

四、应用领域

2N7002T-7-F广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 由于其能承受高漏源电压和较大的电流,适合用于高压开关电源中的转换开关。

  • 马达控制: 可以用于直流马达的驱动和控制。结合适当的驱动电路,2N7002T-7-F能够高效地控制马达的启停和调速。

  • 信号开关: 可以用作音频、视频信号的开关,适合用于多种消费电子产品中,确保信号的纯净与高效传输。

  • LED驱动: 随着LED技术的普及,2N7002T-7-F可用于LED照明的开关与调光控制,实现高效的照明解决方案。

五、总结

2N7002T-7-F N沟道MOSFET 是一款性能优越、适用范围广泛的小功率开关器件,其高耐压、低导通电阻、广泛的工作温度范围及小型封装,使其在现代电子设计中成为一种理想的选择。无论是用于开关电源、马达控制,还是信号开关和LED驱动,2N7002T-7-F 都能为设计者提供稳定的性能和可靠的解决方案,是电子工程师们值得信赖的组件之一。