型号:

ZXTN2011ZTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:-
包装:编带
重量:0.212g
其他:
ZXTN2011ZTA 产品实物图片
ZXTN2011ZTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2.1W 100V 4.5A NPN SOT-89-3
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.53
50+
1.94
1000+
1.8
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)4.5A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)2.1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@2A,2V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)155mV@5A,500mA
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

ZXTN2011ZTA 产品概述

基本介绍: ZXTN2011ZTA是一款高性能的NPN晶体管,由美台(DIODES)公司生产,采用SOT-89-3封装,专为在更高电流和电压应用中提供稳定、可靠的性能而设计。该器件具有较高的集电极电流、宽广的工作温度范围和快速的频率特性,适合多种电源管理和开关用途。这款晶体管广泛应用于消费电子、工业控制、电池管理和通信设备等领域。

关键参数:

  1. 额定功率:ZXTN2011ZTA的额定功率为2.1W,能够支持较高的功率输出,对于高功率开关和放大器电路尤为适合。
  2. 集电极电流(Ic):此器件支持的最大集电极电流为4.5A,能够在负载较大的情况下保持稳定的工作性能,适用于电机驱动和其他需要高电流的应用场景。
  3. 集射极击穿电压(Vce):最大集射极击穿电压为100V,使其能够在高压条件下正常工作,能经受较高的电压激励,适合电源转换器和开关电源等要求较高的电压处理的电路设计。
  4. 饱和压降(Vce(sat)):在500mA和5A的条件下,最大饱和压降为195mV,表明其在开关操作时能够保持较低的功耗,具有优良的能效表现。
  5. DC 电流增益(hFE):在2A和2V的条件下,最小DC电流增益为100,能够为设计师带来良好的增益性能,保持高效的信号放大功能。
  6. 频率特性:ZXTN2011ZTA的跃迁频率为130MHz,使其适合高频信号的处理,能够支持更高的开关频率,有助于提升电路的整体反应速度。
  7. 工作温度范围:该器件在-55°C到150°C的极宽工作温度范围,使得ZXTN2011ZTA能在恶劣环境条件中稳定工作,与其他元件的兼容性大大提高。

封装与安装: ZXTN2011ZTA采用SOT-89-3封装,属于表面贴装型(SMT),具有卓越的热性能和较小的占地面积,适合当今越来越紧凑的电子产品设计。这种封装方式还简化了装配过程,提高了生产效率和设备的可靠性。

应用领域: 由于其高效的电流和电压特性,ZXTN2011ZTA非常适合用于诸如:

  • 电源管理电路:有效的提升电源转化率,减少能量浪费。
  • 开关电路:依靠其快速的开关特性,实现高效的开/关控制。
  • 线性放大器或信号放大器:适合用于通用的信号放大需求。
  • 电机控制:用于驱动小型电机的控制电路。
  • 通信设备:在各种通信系统中作用于信号处理和放大。

总结: ZXTN2011ZTA的优异性能和灵活的应用能力使其成为现代电子设计中的重要器件。无论是在高压、大电流的电源应用中,还是在需要精确控制的信号放大领域,该晶体管都展示了其必要性和有效性。今天,对于追求高效能和紧凑设计的工程师和设计师来说,ZXTN2011ZTA无疑是一个值得推荐的选择。