型号:

ZXTN2005GTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:5年内
包装:编带
重量:0.154g
其他:
ZXTN2005GTA 产品实物图片
ZXTN2005GTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 3W 25V 7A NPN SOT-223-4
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.53
50+
1.94
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)7A
集射极击穿电压(Vceo)25V
功率(Pd)24W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)300@1A,1V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)1nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)55mV@1A,10mA
工作温度-55℃~+150℃

ZXTN2005GTA 产品概述

产品简介

ZXTN2005GTA 是一款高性能的 NPN 晶体管,专为需要高集电极电流和低饱和压降的应用而设计。其额定功率为 3W,适合在 25V 的集射极击穿电压下工作,能够有效支持高达 7A 的集电极电流 (Ic)。该晶体管的设计使其在各种电子设备和电路中得到了广泛应用,包括功率放大、电源管理和驱动电路等。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 7A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 25V
  • 最大功率: 3W
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 230mV(针对不同的集电极电流和基极电流下的最大值,例如 150mA 和 6.5A 时)
  • 最大集电极截止电流 (ICBO): 50nA
  • 最低 DC 电流增益 (hFE): 300 @ 1A, 1V
  • 频率响应: 150MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装类型: TO-261-4,TO-261AA,SOT-223

性能特点

ZXTN2005GTA 在电流增益、频率响应和饱和压降方面表现优异,使其成为需要优化效率与响应速度的各种应用的理想选择。其低饱和压降可确保在高电流工作时,保持较小的功率损耗,从而提高整个系统的能效。

该晶体管的工作温度范围宽,从极低的 -55°C 到高达 150°C,这使其能够在严苛的环境条件下稳定工作。此外,ZXTN2005GTA 的额外优势在于它的低集电极截止电流,确保在关闭状态下几乎不消耗电流,进一步提升了设计的整体效能。

应用场景

ZXTN2005GTA 适用于多种应用领域:

  1. 功率放大器: 适合用于音频和 RF 别墅等强大输出需求的场合。
  2. 电源管理: 用作开关电源和其他电源调节电路的开关元件。
  3. 电动机驱动: 在电机控制和驱动中作为开关元件,以管理大电流。
  4. 推挽放大电路: 在信号放大器中作为推挽配置,提供高增益与良好的线性度。
  5. 开关电路: 可在逻辑电路和各种开关应用中作为驱动电路部分。

设计与封装

ZXTN2005GTA 有着紧凑的表面贴装型封装 (SOT-223),适合现代电子设备的设计要求。其小型封装形式降低了 PCB 空间的占用,有助于实现高密度电路设计。TO-261-4 和 TO-261AA 封装同时提供了良好的散热性能,确保晶体管在高负载情况下依然能够稳定运行。

品牌与质量

作为 DIODES(美台)旗下的重要产品,ZXTN2005GTA 继承了该品牌在全球范围内的高质量标准和优秀的客户支持。DIODES 的专业团队始终致力于确保产品可靠性与稳定性,为客户提供全面的技术支持,从而满足其各种应用需求。

结论

综上所述,ZXTN2005GTA 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,具备高集电极电流、低饱和压降及广泛的温度适应性,适合广泛的电子应用。由于其优异的性能和可靠的制造质量,这款产品能够为设计师和工程师提供一个理想的解决方案,以满足现代电子设备对性能与效率的双重需求。