型号:

ZXTC2062E6TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:23+
包装:编带
重量:0.027g
其他:
ZXTC2062E6TA 产品实物图片
ZXTC2062E6TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.1W 20V 4A;3.5A NPN+PNP SOT-26
库存数量
库存:
4251
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.98
100+
1.58
750+
1.41
1500+
1.33
3000+
1.27
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)4A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)1.1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)140@4A,2V
特征频率(fT)215MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)50mV
工作温度-55℃~+150℃

ZXTC2062E6TA 产品概述

ZXTC2062E6TA 是一款高性能的双极型晶体管 (BJT),专为电力放大和开关应用而设计。该器件包含NPN和PNP两种晶体管类型,具有优异的电流和电压特性,非常适合用于多种电子电路,尤其是在低温及对功耗需求较高的领域。

关键参数

  • 集电极电流 (Ic): ZXTC2062E6TA 的NPN型晶体管最大集电极电流达到4A,而PNP型晶体管则为3.5A。这使得其非常适合用于具有较大电流需求的电路,比如开关电源和电动机控制。

  • 集射极击穿电压 (Vce): 此器件的最大集射极击穿电压为20V,确保在多个应用中都能提供可靠的性能。即便在高负载情况下,该晶体管依旧能够稳定工作。

  • 额定功率: ZXTC2062E6TA 具备最大功耗能力为1.1W,这使其可以在较高功率环境下稳定运行,适合用于功率放大器等设计。

  • 饱和压降: 在不同的集电极电流 (Ic) 和基极电流 (Ib) 条件下,NPN和PNP型晶体管的饱和压降达到了190mV和250mV。这种低饱和压降对于提高系统的效率是至关重要的。

  • 电流增益 (hFE): 该器件在1A电流、2V的条件下最小增益可达280,PNP型则为170。这意味着其在增益方面表现优异,使得在驱动负载时更加高效。

  • 截止电流: 集电极截止电流 (ICBO) 达到50nA,说明该器件在关闭状态下的漏电流非常小,这进一步提高了其能效。

频率和工作温度

ZXTC2062E6TA 的频率跃迁特性为215MHz(NPN)和290MHz(PNP),使其在高频应用中表现出色。这对于需要高频开关的电源转换和射频应用是非常有利的。同时,其工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,这意味着该器件能够在恶劣的环境下可靠地工作。

封装和安装

该器件采用SOT-26封装,适合于表面贴装技术 (SMT) 的应用。这种小型化的封装设计不仅有助于在空间有限的印刷电路板 (PCB) 上进行有效布局,同时也为散热提供了良好的支持。

应用领域

ZXTC2062E6TA 可广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电源和线性电源
  • 电动机驱动和控制电路
  • 自动化设备中的信号放大和开关
  • 消费电子产品中的音频放大器
  • RF功率放大器

总结

ZXTC2062E6TA 提供了出色的电压和电流特性,支持多种高级应用需求。其高增益、低饱和压降以及优异的热性能,使其成为设计工程师在多种电力或信号处理电路中不可错过的选择。不论是在工业设备、消费电子,还是在汽车电子等领域,ZXTC2062E6TA 的可靠性和性能都将为广大工程师提供极大的便利与支持。选择 ZXTC2062E6TA,就是选择一种高效率和高性能电路解决方案。