型号:

ZXMN6A07ZTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:24+
包装:编带
重量:0.212g
其他:
ZXMN6A07ZTA 产品实物图片
ZXMN6A07ZTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.5W 60V 1.9A 1个N沟道 SOT-89-3
库存数量
库存:
28
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.4
1000+
1.3
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)350mΩ@4.5V,1.3A
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)166pF@40V
反向传输电容(Crss@Vds)8.7pF
工作温度-40℃~+150℃

ZXMN6A07ZTA 产品概述

基本信息

ZXMN6A07ZTA 是由美台(DIODES)生产的一款N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为多种电子应用设计。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为SOT-89-3,适合高密度电路板的布局设计。凭借其出色的电气性能和小巧的封装,ZXMN6A07ZTA 可以广泛应用于开关电源、电机驱动和其他需要高效能的电源管理系统。

电气特性

  1. 漏源电压(Vdss):ZXMN6A07ZTA 的漏源最大电压为60V,意味着其能够稳定地工作于高达此电压的电路中,非常适合用于那些需要承受一定电压的应用场景。

  2. 连续漏极电流(Id):在25°C环境下,ZXMN6A07ZTA 的连续漏极电流额定值为1.9A,能够满足大部分中等功率设备的需求。这使得该器件适合用于各种负载条件下的应用。

  3. 导通电阻(Rds(on)):在1.8A电流和10V的栅源电压下,导通电阻达到250mΩ。这一低导通电阻特性确保了器件能够在运行时维持低的功耗,并提高整体效率,降低发热。

  4. 栅源电压阈值(Vgs(th)):在Vgs下3V @ 250µA时,器件的阈值电压值得以控制电流的开启和关闭状态,支持低驱动电压的应用,增强了驱动电路的设计灵活性。

  5. 最大功率耗散:ZXMN6A07ZTA 功率耗散能力为1.5W(在环境温度25°C时),该参数结合导通电阻而得出,有助于设计者在确保稳定性的同时,避免器件过热。

封装和安装

ZXMN6A07ZTA 的封装类型为SOT-89,符合现代电子设备对小型化和高密度布局的要求。小巧的形状使得器件可以轻松集成进各种电子元件中,特别适合于便携式和便宜的电子产品,如手机、平板电脑等。此外,作为表面贴装型组件,该器件支持自动化焊接,提高生产效率。

应用场景

ZXMN6A07ZTA 在许多场合下具有广泛的应用,包括但不限于:

  • 开关电源(SMPS):作为开关元件,ZXMN6A07ZTA 能够提高电源转换效率,降低整体电源发热,实现更加稳定的电力输出。

  • 电机控制:在电机驱动应用中,ZXMN6A07ZTA 可以用作PWM控制信号的开关,帮助实现高效的电机驱动系统。

  • 信号开关:由于其低栅源阈值电压,ZXMN6A07ZTA 还可以用于信号开关应用,为设计提供更多的灵活性和效率。

  • LED驱动:在LED照明应用中,通过控制MOSFET的开闭,ZXMN6A07ZTA 可以有效调节LED的亮度,实现更高效的能源利用。

总结

ZXMN6A07ZTA 是一款具有出色性能的N沟道MOSFET,适合多种电子应用,尤其是在需要处理较高电压和电流的场合。其优异的导通电阻和功率耗散能力,加上紧凑的SOT-89封装,使其在现代电子设计中成为一个理想的选择。希望此产品能为设计工程师在电源管理、信号控制和其他关键应用中提供强有力的支持。