型号:

ZXTNS618MCTA

品牌:DIODES(美台)
封装:W-DFN3020-8
批次:20+
包装:编带
重量:0.023g
其他:
ZXTNS618MCTA 产品实物图片
ZXTNS618MCTA 一小时发货
描述:晶体管-双极-BJT-单-NPN-+-二极管(隔离式)-20V-4.5A-140MHz-3W-表面贴装型-8-DFN(3x2)
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.84
100+
2.36
750+
2.19
1500+
2.09
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)4.5A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)19.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)450@200mA,2V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)115mV@2A,50mA
工作温度-55℃~+150℃

ZXTNS618MCTA 产品概述

产品简介

ZXTNS618MCTA 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 NPN 型双极晶体管(BJT),它集成了一种隔离型二极管,专门设计用于高效的功率放大和开关应用。该器件采用了现代封装技术——8-WDFN(3x2毫米),适合表面贴装(SMD),这使得其在空间受限的设计中表现出色。凭借其优秀的电气特性和宽广的工作温度范围,ZXTNS618MCTA 是诸多电子应用的理想选择,尤其在汽车、电信和消费电子行业中具有广泛的应用潜力。

关键参数

  1. 晶体管类型:NPN + 隔离式二极管
  2. 集电极电流(Ic):最大4.5A
  3. 集射极击穿电压(Vce):最大20V
  4. 功率额定值:3W
  5. 饱和压降(Vce,饱和):在125mA时最大为270mV (4.5A)
  6. 截止电流(Ic,截止):最大25nA
  7. 直流电流增益(hFE):在2A和2V条件下,最小值为200
  8. 频率 - 跃迁:高达140MHz
  9. 工作温度范围:-55°C至150°C
  10. 封装类型:8-WDFN 裸露焊盘

应用场景

ZXTNS618MCTA 的特性使其在多种应用场景中表现出色:

  • 开关电源:由于其高Ic(4.5A)和Vce(20V),可用于高效的开关电源设计,能够处理大电流和高电压的开关操作。
  • 功率放大器:适应于音频和射频(RF)放大器的设计,充分利用其140MHz的跃迁频率,适合无线通信领域。
  • 汽车电子:在汽车控制系统中,该器件能够承受严苛的温度变化(-55°C至150°C),确保在各种环境下稳定工作。
  • 消费电子:在智能手机、平板电脑及其他便携式设备中,经常需要高效、紧凑的驱动器和开关,这款晶体管能够满足这些需求。

优势与特性

  1. 高效率:得益于较低的饱和压降,ZXTNS618MCTA 能够在保证自我发热控制的同时,实现高效的功率转换。
  2. 广泛的兼容性:适用于多种电流和电压配置,适合各种电子设备的设计需求。
  3. 紧凑设计:以3x2mm的W-DFN封装形式提供,方便在狭小空间内使用,符合现代电子产品对miniaturization的追求。
  4. 稳定性与耐用性:宽广的工作温度范围使其在各种极端环境下依然能够正常工作,特别适合温度变化较大的应用。

结束语

ZXTNS618MCTA 是一款多功能的 NPN 晶体管,其高集电极电流、优良的频率响应、宽温度范围加上小巧的表面贴装封装,使其在现代电子设计中成为了极具吸引力的选择。无论是在汽车、通信设备还是其他需要高效开关和放大功能的领域,都能发挥出色的性能。未来,随着电子设备对功率、体积和效率的更高要求,ZXTNS618MCTA 将继续在多个领域中展现其实力和价值。