型号:

ZXMN2F30FHTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:23+
包装:编带
重量:0.028g
其他:
ZXMN2F30FHTA 产品实物图片
ZXMN2F30FHTA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 960mW 20V 4.1A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
934
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.831
3000+
0.77
优惠券
券满50015
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,2.5A
功率(Pd)960mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.8nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)452pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)58pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

ZXMN2F30FHTA 产品概述

ZXMN2F30FHTA 是一种高性能 N 沟道 MOSFET,专为高效率电源管理、开关电源及其他需要快速开关和较小功率损耗的应用而设计。其优良的电气特性和可靠性使其在多种电子产品中得到了广泛应用。

1. 产品基本特性

漏源电压 (Vdss): ZXMN2F30FHTA 的额定漏源电压为 20V,适合低电压应用环境。它能够在此电压范围内安全工作,同时保持良好的开关特性。

连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,该设备的连续漏极电流额定值为 4.1A。这使得 ZXMN2F30FHTA 能够处理中等功率负载,适合电机驱动、LED 驱动等电源变换应用。

2. 导通电阻和功率耗散

导通电阻 (Rds(on)): 在 2.5A 和 4.5V 的条件下,ZXMN2F30FHTA 的最大漏源导通电阻为 45mΩ。这意味着当 MOSFET 导通时,能量损耗极小,从而提高了整体的效率,降低了发热量。

功率耗散: 最大功率耗散为 960mW,在实际设计中可以根据散热条件及环境温度进行合理计算。适当的散热设计将有助于发挥其更高的性能。

3. 驱动电压和门极阈值

驱动电压: ZXMN2F30FHTA 的驱动电压范围非常灵活,低至 2.5V,最大 4.5V,即使在较低的电压下也能够高效地导通。这使其在低电压微控制器或逻辑电平驱动电路中尤为适用。

栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此器件的门极阈值电压为 1.5V @ 250µA,表明它易于在较小的栅驱动信号下进入导通状态。这一点在设计时极大地简化了驱动电路的复杂性。

4. 其他电气参数

栅极电荷 (Qg): 管脚的栅极电荷量达到 4.8nC @ 4.5V,这表明在开关过程中所需的驱动能量较低,有助于优化电路的功耗。

输入电容 (Ciss): 在 Vds 为 10V 的条件下,输入电容值为 452pF。这意味着在高频应用时,其开关速度较快,响应时间短。

5. 温度特性和封装

ZXMN2F30FHTA 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适合于恶劣环境下的稳定工作。其封装类型为 SOT-23-3,提供了紧凑的外形,以适应小尺寸电路板设计,方便表面贴装(SMD)技术的生产和安装。

6. 应用场景

ZXMN2F30FHTA 可广泛应用于各种电子设备中,包括:

  • 开关电源转换器
  • 直流电机驱动控制
  • LED 照明驱动
  • 电池管理系统
  • 自动控制电路

7. 结论

综上所述,ZXMN2F30FHTA 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其高效的电气特性、宽广的工作温度范围及适用的封装形式,满足了现代电子设计对高效率、小型化的要求。无论是在电源管理还是其他高频开关应用中,ZXMN2F30FHTA 都是值得信赖的选择。