ZVN4525E6TA

产品概述：ZVN4525E6TA MOSFET

概述

ZVN4525E6TA 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有极好的电气特性和温度稳定性。该器件采用 SOT-26 表面贴装封装设计，适用于各种高效能的电源管理、开关和射频应用。由于其出色的导通电阻、宽工作温度范围及高漏极电压，ZVN4525E6TA 是许多电路设计中不可或缺的组件。

关键规格

• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 导通电阻（Rds On）: 最大 8.5 欧姆（在 Id = 500mA，Vgs = 10V 时）
• 漏极电流（Id）: 230mA (25°C 时)
• 漏源电压（Vdss）: 最高 250V
• 驱动电压: 2.4V 至 10V，支持低压驱动
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 功率耗散能力: 最大 1.1W
• 输入电容（Ciss）: 最大 72pF (在 Vds = 25V 时)
• 栅极电荷（Qg）: 最大 3.65nC (在 Vgs = 10V 时)
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大 1.8V (在 Id = 1mA 时)

该 MOSFET 具有出色的电气性能，特别适用于需要高功率密度及高效率的电源转换应用。其低栅极驱动电压特性使其非常适合于低电压电路，能够降低驱动损耗。

应用场景

ZVN4525E6TA 适用于广泛的应用领域，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电机驱动
• LED 驱动器
• 通信设备
• 工业自动化
• 电池管理系统
• 便携式设备

随着现代科技的发展，对高效率和高集成度电子元器件的需求日益增加，ZVN4525E6TA 的表现无疑能满足这些苛刻的要求。特别是在低功率和高频率应用中，其低 Rds On 和快速开关特性能够有效提升系统效率。

性能优势

1. 高效能: 该 MOSFET 的低导通电阻和很高的耐压能力确保了在高负载条件下的高效性能，显著降低功耗。
2. 可靠性: 宽泛的工作温度范围及高功率耗散能力保证了在极端条件下的稳定工作。
3. 便捷的封装: SOT-26 封装使其易于集成到各种电路板上，符合现代电子产品对空间和尺寸的要求。

结论

在设计现代电子产品时，选择合适的 MOSFET 是确保整体性能的关键。ZVN4525E6TA 以其卓越的电气特性、可靠性以及广泛的应用灵活性，成为高效电源管理的理想选择。无论是在手机、电脑、交通工具还是其他电子设备中，该 MOSFET 都能发挥出色的作用，是提升产品性能、降低能耗的理想解决方案。

如需更多技术细节和应用信息，请与 DIODES（美台）联系，或 refer to the comprehensive datasheet available on their official website.