型号:

STGP14NC60KD

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220
批次:-
包装:管装
重量:2.74g
其他:
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STGP14NC60KD 一小时发货
描述:IGBT管/模块 STGP14NC60KD TO-220
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产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)25A
耗散功率(Pd)80W
输出电容(Coes)86pF
正向脉冲电流(Ifm)55A
正向压降(Vf)2.1V@7A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.5V@7A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V@250uA
输入电容(Cies)760pF
开启延迟时间(Td(on))22.5ns
关断延迟时间(Td(off))116ns
导通损耗(Eon)82uJ
关断损耗(Eoff)155uJ
反向恢复时间(Trr)37ns
正向电流(If)20A
反向传输电容(Cres)15.5pF

STGP14NC60KD IGBT 产品概述

一、概述

STGP14NC60KD 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用 TO-220 封装,广泛应用于电力电子、逆变器和工业电源等领域。这款 IGBT 具有卓越的性能参数,如高集电极电流和高集射极击穿电压,使其成为高效能、高可靠性的电力转换解决方案。

二、关键参数

  1. 电流和电压能力:

    • 最大集电极电流 (Ic): 25A
    • 最大脉冲电流 (Icm): 50A
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大值 600V。
  2. 开关损耗:

    • 在特定条件下,Vce(on) 为 2.5V 当 Vge 为 15V,Ic 为 7A。这表明在工作状态下,该 IGBT 具有较低的导通电压,从而有助于降低开关损耗。
    • 开关能量:开关时的能量损耗分别为 82µJ(开关开启时)和 155µJ(关断时),在相对较低的开关频率下表现良好。
  3. 开关速度和延迟:

    • 针对 25°C 的工作环境,开关延迟特性(Td)为 22.5ns(开启)和 116ns(关闭);较快的开关速度提高了整体效率,适应了高频操作的需求。
  4. 反向恢复时间:

    • 反向恢复时间 (trr):37ns,说明在逆向恢复过程中,设备的响应速度较快,从而使其在高频应用中更具优势。
  5. 栅极特性:

    • 栅极电荷:34.4nC,合理的栅极电荷值可降低驱动电路的功耗,同时减少开关损耗。
    • 栅极阈值电压 (VGE(th)):为 6.5V @ 250μA,符合标准器件的预期。

三、工作环境

STGP14NC60KD 设计用于广泛的工作温度范围,从 -55°C 至 150°C,确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。无论是在零度以下的寒冷环境,还是在高温条件下,该器件都能可靠地运行。

四、封装与安装

STGP14NC60KD 采用 D2PAK 封装形式,封装设计满足更高的散热需求,有效降低器件内部温度,提升产品的寿命和可靠性。通孔安装 (THD) 的设计使得其在PCB上易于安装,并且具备良好的力学支撑特性。

五、应用场景

STGP14NC60KD IGBT 适用于以下几种应用场景:

  1. 电动机驱动:可以用于驱动各类电动机,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。
  2. 逆变器:广泛应用于太阳能逆变器和风能逆变器等可再生能源系统。
  3. 工业电源:电源供应器和其他高功率转换器的理想选择。
  4. 焊接设备:由于其优良的导电性能和开关速度,适合用于电弧焊接电源。
  5. 家电控制:如空调、电炉等家用电器的电源控制。

六、总结

STGP14NC60KD 是一款高性能、稳健可靠的 IGBT 解决方案,凭借其高电流承载能力、较低的导通电压及优化的开关特性,适合广泛的工业和民用应用。意法半导体凭借其先进的材料和工艺技术,确保了该器件在高需求的电力电子市场中的竞争力。选择 STGP14NC60KD,不仅能够提升设计效率,还能确保系统的长久稳定性与安全性。